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科学の楽しさ、産総研が
取り組んだ製品や事例のご紹介産総研マガジン
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科学の楽しさ、産総研が取り組んだ製品や事例のご紹介

産総研マガジン

エレクトロニクス・製造領域

パーマネント型研究員

以下の公募は、パーマネント型として採用します。

●パーマネント型

2025年度第2回研究職員公募選考において研究人材を募集する公募課題
【応募〆切：2025年10月9日(木)　23:59(JST)】
 
公募番号
DEV-1
公募課題名
 最先端半導体デバイス集積回路に関する研究開発
課題の概要と必要とする人材 最先端半導体の研究開発を進める、以下の研究課題に取り組む研究者を募集する。
1.　次世代半導体に向けた、先端半導体デバイス・プロセス開発
2.　次世代ロジック（およびアナログ）集積回路設計
3.　半導体製造の環境負荷評価およびグリーン化に関する研究
4.　次世代半導体用新材料開発およびシリコン量子デバイス開発
5.　産総研のPoCファブを活用した、極低消費電力デバイスや新原理デバイス等の開発、施設の外部利用等に向けた半導体プロセス開発
半導体デバイスに関する研究経験者だけでなく、専門分野にとらわれず分野を横断した統合的、挑戦的な研究を推進する意欲のある研究者も歓迎する。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット 先端半導体研究センター
勤務予定地 つくばセンター、東京大学連携研究サイト
関連情報 https://unit.aist.go.jp/sfrc/index.html
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 4名
キーワード 半導体プロセス／集積回路設計／グリーン半導体製造／次世代半導体用新材料／シリコン量子ビット
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
DEV-2
公募課題名
 先端機能デバイスの先進的な集積技術および基盤技術の研究開発
課題の概要と必要とする人材 下記に取り組む研究者を募集する。
（１）半導体の微細加工、3D集積化、パッケージング技術などの先進的な後工程技術の研究開発、および、それらを活用した集積デバイス（ロジック、メモリ、高周波、MEMS、光電融合、パワー半導体など）の基盤技術開発。
（２）スピントロニクス、磁性材料、不揮発性メモリ、量子コンピューティング向けデバイス・プロセス技術の研究開発。
研究分野の経験者はもちろん、分野を超えた挑戦的な研究を推進する意欲のある方、産業界での実務経験を活かし研究開発や社会実装に貢献したい方の応募を歓迎する。これまでの研究経験を問わず、多様なバックグラウンドを持つ方の挑戦を期待する。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット ハイブリッド機能集積研究部門
勤務予定地 つくばセンター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/hyfi-ri/
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 1名
キーワード 異種材料接合/TSV/ハイブリッドボンディング／MRAM/TMR/MTJ／軟磁性/トランス/6G／300mmウエハプロセス／チップレット/インターポーザ/RDL
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
DEV-3
公募課題名
 次世代光通信技術である光電融合技術に関する研究
課題の概要と必要とする人材 本公募では、次世代光通信技術、光電融合技術、光演算技術のいずれかで研究実績を有する意欲的な研究者を広く募集する。具体的には光デバイス技術、半導体集積回路技術、パッケージ・実装技術、光通信評価技術・光ネットワーク技術、システム設計技術など専門知識、研究実績を有することが望まれる。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット 光電融合研究センター
勤務予定地 つくばセンター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/peirc/index.html
問い合わせ先 M-peirc_core-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 2名
キーワード 光通信デバイス／ネットワークシステム／コパッケージオプティクス（CPO）／光演算
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
DEV-4
公募課題名
 次世代エレクトロニクスの基盤技術に関する研究開発
課題の概要と必要とする人材 多様化する将来の産業・社会ニーズに対応する次世代エレクトロニクスの基盤となる技術に関する以下のいずれかの研究課題に取り組む研究者を募集する。
・エッジ応用、極低消費電力動作、次世代通信対応、半導体製造検査等に係る各種デバイスおよびその作製技術の研究開発
・超伝導体、機能性酸化物、化合物半導体、二次元材料、有機系機能材料およびそのデバイス応用技術の研究開発
これらの研究課題を推進するため、応用物理学、材料科学、化学、電気電子工学等に関する基礎知識や専門性および研究実績を有する意欲的な研究者を広く募集する。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット エレクトロニクス基盤技術研究部門
勤務予定地 つくばセンター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/cetri/index.html
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 2名
キーワード 電子材料・デバイス／光機能材料・デバイス／デバイス作製プロセス
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
DEV-5
公募課題名
 ワイドギャップ半導体の先進的活用に関する研究開発
課題の概要と必要とする人材 SiC, GaN, ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ材料の利点を活用したパワーエレクトロニクス応用、量子応用等の革新的半導体デバイス技術の確立と普及を目指した研究開発を行う。上記研究開発に必要な半導体結晶成長/薄膜成長技術、半導体デバイス設計/プロセス/計測・評価技術、パッケージング・回路技術開発を通じた新規エレクトロニクス技術の開拓ならびにパワーエレクトロニクス応用に関する知識と熱意を有する人材を募集する。
なお、博士の学位を有していないが、企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット 先進パワーエレクトロニクス研究センター
勤務予定地 つくばセンター、関西センター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/adperc/
https://tpec-aist.jp/
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 3名
キーワード パワーエレクトロニクス／ワイドバンドギャップ半導体／パワーデバイス／結晶成長／量子技術
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
DEV-6
公募課題名
 半導体製造プロセスの評価・計測に関する研究
課題の概要と必要とする人材 デバイス製造プロセスの評価等に関する計測技術や材料評価技術などの分野にかかる知見を有し、半導体デバイスなどの高機能化、低消費電力、小型化などを目指したデバイス製造プロセス（成膜、実装、パッケージング、印刷、微細加工など）の高度化に向けた、プロセス評価解析やシミュレーション技術、AI技術活用などに関する研究開発に取り組む研究者を広く募集する。
なお、博士の学位を有していないが、企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット センシング技術研究部門
勤務予定地 つくばセンター、柏センター、九州センター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/ssrc/
問い合わせ先 rp-eleman-ml＊aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 1名
キーワード 半導体／デバイス／材料／プロセス／製造装置
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
SENS-1
公募課題名
 センサ/センシング、プロセス/評価技術に関する研究
課題の概要と必要とする人材 センサやセンシング技術、材料プロセス技術、センシングデータの効率的活用を推進するシステム技術の開発を行う。本課題の推進に関心を持ち、センシング材料、製造・実装プロセス、デバイス技術、分析・計測技術、アクチュエータ技術、インタフェース技術、回路設計、情報処理、電源、伝送通信等のシステム化技術、およびこれらに関連する応用物理、電子工学、製造プロセス技術、材料科学、生物、化学、光技術、通信、計測などの分野において知見を有する研究者を募集する。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募を歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット センシング技術研究部門
勤務予定地 つくばセンター、柏センター、九州センター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/ssrc/
問い合わせ先 rp-eleman-ml＊aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 1名
キーワード センサー/センシング／デバイス/半導体／材料/化学／バイオ/環境／製造プロセス
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
公募番号
MANU-1
公募課題名
 デジタル技術・AIを活用したものづくりDX推進研究
課題の概要と必要とする人材 製造技術、機械加工技術の産業競争力強化に向けて、自動化・スマート化・DX（デジタルトランスフォーメーション）が求められている。これらを推進するためには、加工現象の解明に向けた加工プロセスの基盤研究をベースとして、プロセスモニタリング、画像解析、モデル化、シミュレーション、システム設計、制御等が必要である。機械工学、電気電子工学、材料工学、情報工学、物理学、応用物理、応用数理などの分野の知識と研究経験を有し、特に金属積層造形や複合材料などの新たな製造技術、部材を活用したものづくりに関わるプロセス自動化によるデータ収集、解析の効率化に資するAI活用・デジタル化の研究開発を進める意欲的な研究者を募集する。
なお、博士の学位を有していないが企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募を歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット 次世代ものづくり実装研究センター
勤務予定地 北陸デジタルものづくりセンター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/ircam/
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 1名
キーワード 製造プロセス／デジタルエンジニアリング／自動化／加工現象／シミュレーション
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）
 

年俸制任期付研究員

産業技術総合研究所（産総研）は、特定の重点研究課題を機動的・効果的に推進するため、優れた研究実績又は高い研究マネジメント能力を有する研究人材を、研究実績、経験、能力を勘案した年俸制任期付研究員として、国内外問わず、積極的に採用します。本研究職員は、任期のある職種となります。

●年俸制

2025年度第2回研究職員公募選考において研究人材を募集する公募課題
【応募〆切：2025年10月9日(木)　23:59(JST)】
 
 
公募番号
DEV-11
公募課題名
 先進パワーエレクトロニクスに関する研究開発
課題の概要と必要とする人材 ワイドバンドギャップ半導体に立脚した先進パワーエレクトロニクス技術の確立と普及を目指した研究開発を行う。特に、革新的なパワー半導体結晶およびウェハ製造技術、デバイスの設計/プロセス/計測・評価技術、先進パワーデバイスの高性能を活かすパッケージング技術等の開発を推進するための知識/経験と熱意を有する人材を募集する。
なお、博士の学位を有していないが、企業での実務経験を産総研の研究開発や成果の社会実装に生かす意欲のある方の応募も歓迎する。
採用年月日 2026年4月1日
配属予定ユニット 先進パワーエレクトロニクス研究センター
勤務予定地 つくばセンター、関西センター
関連情報 https://unit.aist.go.jp/adperc/
https://tpec-aist.jp/
問い合わせ先 rp-eleman-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
募集人員 2名
キーワード パワーエレクトロニクス／ワイドバンドギャップ半導体／パワーデバイス／結晶成長
応募する　（ご関心のある方は事前登録をお願いします。）