研究成果記事一覧

世界初、垂直ブリッジマン法による6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功

－β型酸化ガリウム基板の大口径化・高品質化に貢献－

GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証

－GaNトランジスタの過電圧脆弱性を解決－

パワー半導体用大口径SiCウェハの高速研磨技術を開発

－高速化が難しかったSiCラッピング加工工程を大幅改善－

小型・集積化につながるダイヤモンド量子センサのスピン情報の電気的読み出しに成功

－量子センサの社会実装を加速する成果－

SiCモノリシックパワーICの開発に成功

－世界初！SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化－

ダイヤモンド量子センサ、室温で感度を維持しつつ計測範囲を低温従来値の100倍に

－量子センサの応用環境や測定空間を広げる成果－

単一NVダイヤモンド量子センサで世界最高感度を実現

－合成n型ダイヤモンドにより室温での世界最長T₂－

世界初、ガスからクラックのない1立方センチ級単結晶ダイヤモンドの作製に成功

－ダイヤモンド半導体の開発推進により、飛躍的な省エネ社会実現に期待－

SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発

－トランジスタ効率の指標である通電時の抵抗を大幅に低減－

水蒸気とニッケルを用いた非プラズマプロセスによるダイヤモンドの高速・異方性エッチング技術を開発

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発

－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－

パワーデバイス内部の電界を正確に計測することに成功

－さらなる省エネ化に期待－

世界初！反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功

－省エネ社会に大きく貢献する究極のパワーデバイスの実現へ－