産総研 - ニュース　受賞

　平成２０年１月２９日（火曜日）、東京・日比谷の帝国ホテルにおいて、２００７年度朝日賞の贈呈式が行われ、産総研から湯浅新治氏（エレクトロニクス研究部門スピントロニクス研究グループ長）が、宮﨑照宣氏（東北大学教授）とともに「トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）の発展と応用に関する研究」が評価され受賞しました。

受賞理由

　湯浅新治氏は、宮﨑照宣氏が初めて室温で実現したトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）」（電子のトンネル効果を利用し、磁気によって物質の電気抵抗を大きく変化させる現象）をさらに発展させ、絶縁体に酸化マグネシウムを用いることによって、より大きな磁気抵抗比を持つＴＭＲを実現しました。これらの成果は既に実用化され、近年のハードディスク容量の劇的な増加を技術面で支えているほか、電源を切っても記憶内容が消えない新しいタイプのメモリー（MRAM）の開発などへの応用も期待されているものです。

※朝日賞は１９２９年（昭和４年）に朝日新聞社が創設したもので、学術や芸術などの分野で傑出した業績をあげ、わが国の文化や社会の発展、向上に多大な貢献をした個人または団体に授与されます。

関連研究情報リンク：

スピン注入トルクの直接測定に成功
　- 次世代MRAMの開発を加速する新しい評価技術を確立 -（2007年11月26日 発表）

超高密度ハードディスク用の高性能TMR素子を開発
　- インチ当たり500ギガビット以上の高密度記録に対応できる磁気ヘッド技術 -（2006年05月09日 発表）

スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルクダイオードを開発
　- 高感度マイクロ波検波器としての応用が期待される -（2005年11月17日 発表）

巨大なＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）効果の発生メカニズムを実証
　- 世界最高の出力電圧550mVを達成 -（2004年11月1日 発表）

世界最高性能TMR(トンネル磁気抵抗)素子の量産技術を開発
　- ギガビットMRAMに必要な磁気抵抗比230%をスパッタ成膜法で実現 -（2004年9月7日 発表）

単結晶ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子で世界最高性能を達成
　- 超高集積MRAMの実現に道筋 -（2004年3月2日 発表）