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受賞

2013/08/20

第11回産学官連携功労者表彰を受賞

産総研は富士電機株式会社、株式会社アルバックと共に「第11回産学官連携功労者表彰」の「日本経済団体連合会会長賞」を受賞することとなりました。授賞式は、「イノベーション・ジャパン2013」に合わせ、平成25年8月29日に東京ビッグサイトにて行われます。

 産学官連携功労者表彰は、大学、公的研究機関、企業等の産学官連携活動で、大きな成果を収め、あるいは先導的な取組みを行うなど、産学官連携の推進に多大な貢献をした優れた成功事例に関し、その功績を称えることで我が国の産学官連携の更なる進展に寄与することを目的として、平成15年度に創設されたものです。

【受賞事例名】
産学垂直連携・共同研究体「TPEC」の創成

【概要】

 産総研は、奥村 元 先進パワーエレクトロニクス研究センター長を中心に、これまで経済産業省等の国家プロジェクトや産総研独自予算による大型プロジェクトに取組み、また技術研究組合への参加を通して日本のシリコンカーバイド(SiC)半導体の研究開発をリードしてきた。

 それらの中で、平成20年度には企業との大型共同研究を立ち上げ、つくばイノベーションアリーナ(TIA)事業の一つとしてSiCパワー半導体試作ラインを構築し、平成23年度にはオン抵抗が世界一低いSiCパワー半導体の量産技術を確立した。この技術は、メガソーラー向け省エネ型SiCパワーコンディショナーの世界に先駆けた製品化につながった。

 平成24年度にはさらに、SiC半導体製品の開発を総合的に加速する新しい民活型共同研究体組織「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC)」を産総研内に創設した。TPECには産総研のほか、産業構造の川上から川下にいたるビジネスレイヤーの異なる30社とSiC半導体研究に高い研究ポテンシャルを有するアカデミア9機関が参画しており、現在、SiC半導体を量産試作する機能や産業人材を育成する機能を併せ持つオープンイノベーション型の組織として運営されている。

 このようないわゆる垂直連携の共同研究体TPECの創設と運営が高く評価され、今回の産学官連携功労者表彰の「日本経済団体連合会会長賞」受賞にいたった。

SiCデバイスの写真
3インチウエハカーボン面上に作製された 量産レベル低損失 SiC デバイス
MOSトランジスタ(左)とショットキーバリアダイオード(右)
受賞者の写真
奥村研究センター長(左) 中鉢理事長(右)

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国立研究開発法人産業技術総合研究所