産総研:研究ハイライト SiC 耐圧3.3kVスイッチングトランジスタの作製プロセス構築

2015研究ハイライト SiC 耐圧3.3kVスイッチングトランジスタの作製プロセス構築

注目ポイント

家電や自動車、各種産業機器に使われるインバーターなどのさらなる発展を目指し、実用的な信頼性を満足させる耐電圧の高いSiCスイッチングトランジスタの作製プロセスを構築しました。

SiC 3.3kVスイッチングトランジスタの試作に使用した微細描画装置群の写真

SiC 3.3kVスイッチングトランジスタの試作に使用した微細描画装置群

 

プレーナタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの耐圧特性の図
プレーナタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの耐圧特性
  トレンチタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの構造図


トレンチタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの構造



SiC半導体のウエハ製造・加工技術からパワー素子の開発、さらにその素子性能を充分に生かせる回路・実装・制御からなるパワーエレクトロニクス統合化技術へと開発を進め、作製プロセス構築など、各種課題で実用化に直結する成果を得ました。自動車等のユーザー企業と、材料メーカー、加工メーカー、デバイスメーカー、装置メーカーが一貫連携して取り組む民活型オープンイノベーション共同研究体の枠組みの中で、国プロ成果等をベースにした実用化研究開発を加速しています。昨今、SiCインバーター製品が社会に使用され始め、鉄道車両、自動車、太陽光発電を中心に各種用途拡大が進んでいます。

 

関連リンク


本研究テーマに関するお問合せ先

畠研究センター長の写真  
先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究センター長 奥村 元(おくむら はじめ)

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2

メール:adperc_info-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信下さい。)
話:029-861-5050
ウェブ:https://unit.aist.go.jp/adperc/ci/