産総研：研究ハイライト GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証

GaNトランジスタとSiCダイオードをモノリシック化

独自の一貫製造プロセスラインの構築によって、窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化し、ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に世界で初めて成功した。このトランジスタは、高い信頼性が求められる電気自動車や太陽光発電用パワーコンディショナーなどへの適用が期待される。