ピュアオゾンガスと水蒸気によるOHラジカル生成技術を酸化物半導体デバイス製造プロセスに適用

－長期安定性に優れた半導体動作特性を確認－

株式会社明電舎（以下、明電舎）と国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下、産総研）は、これまでに開発したピュアオゾンガスと水蒸気（H₂O）を用いた、化学反応性の高いOHラジカル生成技術を、酸化物半導体向けインジウム酸化膜（InO_x膜）の低温成膜プロセスに適用し、膜中の炭素不純物の低減と、電圧サイクル安定性に優れたデバイス動作特性を確認しました。

酸化物半導体デバイスの中で電流経路となるインジウム酸化膜の原子層堆積（ALD）プロセスに、OHラジカル生成技術を適用することで、低温成膜における膜質改善とデバイス動作の安定化を実現しました。今後、酸化物半導体の実用化・量産化への貢献が期待されます。