平成30年度研究評価委員会(エネルギー・環境領域)評価報告書
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MOS : Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect TransistorIE : Implantation & Epitaxial (AIST Original), SJ : Super JunctionIGBT : Insulated Gate Bipolar TransistorFIRST :SIP : TPEC :SPEL : - 83 -

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