平成30年度研究評価委員会(エレクトロニクス・製造領域)評価報告書
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平成30年度 研究評価委員会(エレクトロニクス・製造領域) 議事次第 日時:平成31年3月19日(火) 10:00-17:30 場所:国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくばセンター つくば東事業所 4G棟 1111室 開会挨拶 理事/評価部長 加藤 一実 10:00-10:05 委員等紹介・資料確認 評価部研究評価室 森下 雄一郎 10:05-10:10 領域による説明(質疑含む) (議事進行:前川 禎通 評価委員長) 1.領域の概要と研究開発マネジメント 10:10-10:40 (説明15分、質疑・評価記入15分) 理事/エレクトロニクス・製造領域長 金丸 正剛 ・第4期中長期目標期間中に見込まれる実績・成果・平成30年度の実績・成果2.「橋渡し」のための研究開発 (1)「橋渡し」につながる基礎研究(目的基礎研究) 10:40-11:30 (説明26分、質疑・評価記入24分) ①「量子コンピュータ・量子アニーリングマシンの基盤技術開発」ナノエレクトロニクス研究部門長 中野 隆志②「新超伝導材料の開発」電子光技術研究部門 首席研究員 永崎 洋 ・第4期中長期目標期間中に見込まれる実績・成果・平成30年度の実績・成果昼食・休憩(50分) 11:30-12:20 現場見学会(60分) 12:20-13:20 ①SIPコーティング拠点ハイブリッドAD法によるセラミックコーティング先進コーディング技術研究センター 主任研究員 篠田 健太郎 ②高速砂型造形3Dプリンターの開発製造技術研究部門 総括研究主幹 岡根 利光 ③インフラ状態モニタリング用センサシステムの開発集積マイクロシステム研究センター長 松本 壮平 (2)「橋渡し」研究前期における研究開発 13:20-14:40 (説明39分、質疑・評価記入41分) ①「スピントロニクス技術による次世代不揮発性メモリMRAMの開発」スピントロニクス研究センター長 湯浅 新治②「シリコンフォトニクス技術と光パスネットワーク技術の開発」電子光技術研究部門 副部門長 並木 周 ③「製造網コンセプト:スマート製造モデル化+プロセスセンシング」製造技術研究部門長 市川 直樹 ・第4期中長期目標期間中に見込まれる実績・成果・平成30年度の実績・成果-1 -

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