平成30年度研究関連業務評価委員会評価報告書
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【実績】 オープンイノベーション推進のためのプラットフォーム機能の強化に資する事業の一環として、拠点運営機能にマーケティング機能を付加するため、マーケティングを戦略的に企画する戦略ユニットと、マーケティングによるニーズを拠点運営に効率的に活用するための拠点活用推進チームを新設した。SCRのIoT技術開発拠点としての価値を向上させるため、事務局として外部有識者によるこれまでのTIAにおける半導体研究開発の活動を整理し、今後の産業界ニーズに整合した拠点構築を進めるための方策・方針を検討する委員会を立ち上げ、高機能IoTデバイス研究開発拠点に対する産業界・大学のニーズ調査を行った。また、SCRに3名のプロセスインテグレータを配置して、中小企業やベンチャー企業などの多様なニーズを把握し、それに応えるプロセス技術メニューを開発するとともに、半導体研究開発プラットフォームの積極的利用方法の提案を行った。特に、領域と共同で開発したシリコンフォトニクスプロセスは世界的にも技術優位性を有している。イノベーションコーディネータ(IC)のマーケティング活動と連携してプロセスインテグレータが活動し、SCRの利用が拡大した。平成30年度のSCRの約款利用料収入は平成29年度と比較し1割以上の増加を見込んでいる。 【効果】 ICをはじめとするマーケティングチームの企業訪問や展示会での広報活動により、SCRの認知度が向上し、利用問い合わせが増加した。またプロセスインテグレータを配置したことにより、ユーザーの要望をより詳細に把握することができ、それに応え得ることのできるプロセス技術メニューの整備も進められた。平成30年度の利用実績の増加のみならず、将来の利用拡大に向けた準備を進めることができた。外部有識者委員会の開催は、ユーザーの要望を効率よく収集する機会となり、SCRを拡張発展させた高機能IoT研究開発拠点の運営指針を検討する上で重要な情報を得ることができた。さらに、ハイテクキャンパスアイントホーフェン(HTCE)との交流会をオランダと日本で交互に行う等、海外企業との連携構築も積極的に行った。 【実績】 新材料パワー半導体のオープンイノベーション拠点としての価値を一層高めるため、SiCの4インチラインに併設して、ワイドギャップ化合物半導体プロセスのための高度な半導体製造装置の整備を進めた。また平成30年1月より24時間稼働へと移行して稼働率を高めた6インチ大型ウェハーを用いたSiCパワーデバイス試作ラインでは、新たに約5億円相当の成膜プロセス装置を住友電工から無償提供を受けて稼働率をさらに向上させ、月産100枚にまで向上した。 【効果】 6インチ大型ウェハーを用いたSiCパワーデバイス試作ラインでは、平成30年1月より- 144 -

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