SiCエピタキシャル装置用ガス（単価契約） - 産総研：調達情報
| 大分類 | 公開見積競争 |
|---|---|
| 中分類 | 公開見積競争 |
| 小分類 | 物件の買入れ等 |
| 対象拠点 | つくばセンター・東京本部 |
| 件名 | SiCエピタキシャル装置用ガス（単価契約） |
| 掲載開始日 | 2023/01/25 |
|---|---|
| 掲載終了日 | 2024/02/08 |
| 内容 |
２０２３年１月２５日 公開見積競争公告 次のとおり公開見積競争に付します。 契約担当職 国立研究開発法人産業技術総合研究所 調達室長 望月 和成 １．公開見積競争に付する事項 (1) 調達件名及び数量 SiCエピタキシャル装置用ガス 9本 他（予定数量） (2) 特 質 等 仕様書による ＜概要＞ 本件は、つくば西－５Ｄ棟の4インチウェハ対応試作ラインのうち、SiCパワー半導体デバイスの試作工程の一つであるエピタキシャル膜成長で使用する原料ガスを調達するものである。 (3) 納入期間 ２０２３年４月１日 ～ ２０２４年３月３１日 (4) 納入場所 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ２．公開見積競争に参加する者に必要な資格 (1) 次のイ及びロに掲げる場合のいずれにも該当する者ではないこと。 イ 国立研究開発法人産業技術総合研究所の役員経験者が再就職している又は課長相当級以上の職の経験者が役員等として再就職しているとき。 ロ 総売上高又は事業収入に占める国立研究開発法人産業技術総合研究所との間の取引割合が３分の１以上であるとき。 (2) 本公告の日から競争用見積書（以下「見積書」という。）提出の時までの期間に国立研究開発法人産業技術総合研究所の契約に係る指名停止等の措置要領に基づく指名停止を受けていないこと。 (3) 見積競争説明書の交付を受けた者であること。 (4) 技術審査において適格と判断された者であること。 (5) 国立研究開発法人産業技術総合研究所の契約事務取扱要領要領第７条及び第８条に該当しない者であること。なお、契約事務取扱要領第７条及び第８条における「一般競争」は、「公開見積競争」に読み替えるものとする。 ３．見積競争説明書の交付場所 茨城県つくば市梅園1-1-1 国立研究開発法人産業技術総合研究所 中央第二事業所 2-1 C棟 ７階 調達部 調達室 調達Cグループ なお、メール又はFAXによる交付を希望する場合は、下記８．(2)まで、その旨を連絡すること。 ４．仕様説明会の日時及び場所 本件についての仕様説明会は開催しない。 ５．競争参加に必要な書類の提出期限及び提出場所 ２０２３年２月１日（水） １７時００分 厳守 下記８．(2)に提出すること。 なお、メール又はFAXによる提出を可とする。 ６．見積書の提出期限及び提出場所 ２０２３年２月８日（水） １７時００分 厳守 見積書は封筒に入れ密封し、かつ封筒に調達件名及び事業者名を記載した上で、下記８．(2)に提出すること。 ※本件は単価契約である。見積金額は、各品目の単価に予定数量を乗じて算出した金額の総額を記載すること。 ７．契約の相手方の公表 本件の調達件名及び数量、契約締結日、契約金額、契約の相手方の商号又は名称、住所及び法人番号、競争参加者の人数等が公表されることについて同意するものとする。 ８．その他 (1) 詳細は見積競争説明書による。 (2) 本件に関する問い合わせ先 〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 国立研究開発法人産業技術総合研究所 中央第二事業所 2-1 C棟 ７階 調達部 調達室 調達Cグループ 木村 瑞希 ＴＥＬ：０２９－８６０－５５４９ ＦＡＸ：０２９－８６０－５５６２ |
| 添付ファイル | 仕様書_SiCエピタキシャル装置用ガス.pdf（152.2 KB） |