プロジェクト型任期付研究員
特定のプロジェクトを推進するため、必要な専門性を有し、中心的な役割を担う即戦力となる研究人材を、博士の学位を有する者又はそれらに相当する研究能力・研究実績を有する者の中から採用します。
本制度にて採用された場合、このプロジェクトに対して専従することが採用の要件となります。また、本研究職員は、任期終了後に引き続き任期の定めのない定年制の職員となるパーマネント化審査を受けることはできません。
公募番号
TIA-1
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公募課題名 |
先端3次元構造ロジック半導体デバイスの製造・プロセス技術および検証用パイロットライン整備に関する研究開発 |
| 課題の概要と必要とする人材 |
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発／先端半導体の前工程技術（More Moore技術）の開発」【パイロットライン構築・先端半導体製造技術】を進めるため、以下の内の一つまたは複数の研究開発テーマに従事する研究者を募集する。
- 微細リソグラフィー技術の研究開発
多重露光プロセス等、先端微細リソグラフィー技術の研究開発と必要となる装置等の立ち上げ
- シリコンナノシート構造形成技術の研究開発
エピタキシャル成長によるシリコンナノシート積層構造やソースドレイン電極形成プロセス等の研究開発と必要となる装置等の立ち上げ
- ゲートスタック形成技術の研究開発
ゲートオールアラウンド構造のHigh-k/メタルゲートスタック形成技術の研究開発と必要となる装置等の立ち上げ。
- ナノシートトランジスタ・インテグレーション技術の研究開発
上記１～３の各プロセス技術を統合したナノシートトランジスタ形成に関する、マスク設計、デバイス構造設計およびその製造スループロセスフローの研究開発と、パイロットラインを用いた検証
半導体デバイスの各種プロセス技術やインテグレーション技術に関する研究者・技術者。特に、半導体研究開発部門あるいは半導体製造・開発ラインでの業務経験者を歓迎する。博士の学位を有する者又はそれらに相当する研究能力・研究実績を有する者であること。 |
| 採用予定日 |
採用に必要な手続きが完了次第 |
| 任期 |
2024年3月31日
（ただし、プロジェクト延長の場合は最大2026年3月31日まで） |
| 配属予定ユニット |
デバイス技術研究部門（TIA推進センター 兼務） |
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関連情報
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https://www.meti.go.jp/press/2020/03/20210323002/20210323002.html
https://www.aist.go.jp/aist_j/news/announce/pr20210331.html |
| 問い合わせ先 |
TIA推進センター戦略連携ユニット戦略企画チーム
E-mail：M-tiaco-koubo-ml*aist.go.jp (*を@に変換してください)
029-862-6122 |
| 募集人員 |
4名 |
| 応募締切 |
随時受付（ただし適任者の採用により募集枠が充足された場合には応募を締め切ります） |
| 応募する （ご関心のある方は事前登録をお願いします。） |