Vol.3 No.4 2010

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研究論文:単結晶ダイヤモンド･ウェハの開発(茶谷原ほか)−279−Synthesiology Vol.3 No.4(2010)N.R. Parikh et al.: Single-crystal diamond plate liftoff achieved by ion implantation and subsequent annealing, Appl. Phys. Lett., 61 (26), 3124-3126 (1992).Y. Tzeng et al.: Free-standing single-crystalline chemically vapor deposited diamond films, Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2216-2218 (1993).M. Marchywka et al.: Low energy ion implantation and electrochemical separation of diamond films, Appl. Phys. Lett., 63 (25), 3521-3523 (1993).T.P. Humphreys et al.: Surface preparation of single crystal C(001) substrates for homoepitaxial diamond growth, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 339, 51-56 (1994).J.D. Hunn et al.: Fabrication of single-crystal diamond microcomponents, Appl. Phys. Lett., 65 (24), 3072-3074 (1994).J.D. Hunn et al.: The separation of thin single crystal films from bulk diamond by MeV implantation, Nucl. Instr. and Meth., B 99, 602-605 (1995).J.B. 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