技術宝箱

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特 許環境・エネルギー11. 殺菌もできる深紫外線ダイヤモンドLED体で構成されており、n型半導体層とp型半導体層あるいは基板を介して形成した電極からなる発光素子。 請求項5基板、p型半導体層、n型半導体層がダイヤモンドである請求項4に記載した発光素子。 請求項6基板上に低抵抗層を形成し、さらに、低抵抗層の一部に、p型半導体層と、前記p型半導体層に接して形成された間接遷移型半導体で構成された活性層と、前記活性層に接してn型半導体層が形成された構造を備え、n型半導体層と低抵抗層の一部に接して形成した電極からなる発光素子。 ・以下、請求項7から請求項15まで省略。請求項16基板、低抵抗層、p型半導体層、活性層、n型半導体層がダイヤモンドである請求項6に記載した発光素子。基板と、前記基板上に形成された低抵抗層と、前記低抵抗層上に形成された第1導電型ダイヤモンド半導体層と、前記第1導電型ダイヤモンド半導体層上に形成され、励起子より深い準位の密度よりも大きい密度を有する励起子を発生し、かつその光を外部に取り出すために側壁面に第1発光取出窓を備える活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型ダイヤモンド半導体層と、前記第2導電型ダイヤモンド半導体層は、その上表面に活性層からの光を外部に取り出すための第2発光取出窓を備え、前記第2導電型ダイヤモンド半導体層上にパターニング形成された電極と、を備え、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体からなる発光素子。 請求項17基板と、前記基板上に形成された低抵抗層と、前記低抵抗層上に形成された第1導電型ダイヤモンド半導体層と、前記第1導電型ダイヤモンド半導体層上に形成され、励起子より深い準位の密度よりも大きい密度を有する励起子を発生し、かつその光を外部に取り出すために側壁面に設けられた第1発光取出窓と上表面に設けられた第2発光取出窓とを備える活性層と、前記活性層上に該記活性層の面積より小さい面積にパターニング形成された第2導電型ダイヤモンド半導体層と、前記パターニング形成された第2導電型ダイヤモンド半導体層上に形成された電極と、を備え、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体からなる発光素子。 ・以下、請求項18から請求項21まで省略。71

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