技術宝箱

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1. これまでの技術 シリコンウェハなど薄膜の特性をはかるためには、エリプソメータがよく使われているが、測定点を一点一点測定するので、一つのウェハに対しては、平均値を求めることになる。イメージング・エリプソメータをつかうと、平面の二次元的測定ができる。このようなイメージング・エリプソメータの検出器には、CCDを使うが、光学系を回転させるとビームがずれたり、機械的に回転させると1回の測定に1秒などを要することがあった。2. 本技術 光学素子(変調子)を用いて、50kHz (1秒間に50,000回)振動させ、4回分のデータで1回の測定が終わるように工夫をしている。ビームはゆがまないので、解析上の問題は生じない。測定されたデータをコンピュータで処理をする。コンビュータで処理するソフトも考案し、高速処理をできるようになった。エリプソメータは、蛍光標識ができないところに使うと、装置の能力をより引き出せる。現在は、このエリプソメータが高速に表面状態を測定できることを利用し、蛍光色素にもよらず、二次抗体も必要とせずに、多数のマーカタンパク質を迅速に測定するシステムを開発し、応用分野を広げている。471 紹介する技術とポイント2 技術説明薄膜の屈折率と膜厚の二次元分布を測定する装置『偏光変調型イメージング・エリプソメータ』高精度、高速、かつ高い空間分解能で測定偏光変調型イメージング・エリプソメーター282中小企業のための技術宝箱

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