技術宝箱

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特 許43. 半導体組立工程における安価で簡易な3D外観検査技術4. 特開2010-38788 公開2010年2月18日(出願2008年8月6日)・出願人 独立行政法人産業技術総合研究所・発明の名称: 高さを測定する方法及び高さ測定装置・要約: 対象物における微小な高さを測定するに際し、測定に要する時間を短くし、ケース内のICの検査を可能にし、繰り返し測定精度を高め、測定装置の構成を簡易なものとする。 ◆発明が解決しようとする課題製造工程にかける半導体素子の面上の凸凹やICユニットのリードの浮きのように、微小な高さを測定する際に、2つの異なる位置での共焦点画像を撮像する手法では、高さを求める仮定において2回の撮像分の時間を少なくとも要し、ビームの干渉による手法では、装置が大掛かりになり、スループットを高めるのに有効で無かった。また、レーザ変位計による高さ測定では動作制御機構が煩雑になり、2方向から同時の撮像する形態のものではやはり装置構成としては複雑になり、かつ、ケース(エンボス)内のICの検査が難しい装置の構成を簡易なものとし、繰り返し測定精度を高め、さらに測定に要する時間を短くしスループットを高められるようにすることが求められていた。 ◆課題を解決するための手段と請求項1光軸に関して対称的に配置・設置された一対の異なる色のフィルターF1、F2が設けられたフィルター付マスクMと撮像用レンズLとを備えた撮像用光学計を有する撮像装置で対象物をその基準表面に対して合焦させて撮像し、得られた画像について画像解析をおこない、画像における対象物の凸部または凹部についての異なる色で分離した像の重心位置の間隔と凸部の高さまたは凹部の深さとの比例関係を表す換算係数を予め求めておき、この換算係数と実際に撮像により得られた重心位置の間隔とから凸部の高さまたは凹部の深さを求める。263標準・計測

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