技術宝箱

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1. 原理と特長本方法では、LEDの半導体チップ表面に微細なリッジ(波うち、畝うね)構造をつくることで、従来は取り出すことができなかった全反射成分の光を、リッジ表面に発生するエバネッセント光(全反射に伴い発生する界面近傍(光の1波長分以下の距離程度)にしか存在しない特殊な電磁波)の結合効果によって直接取り出せる。右図に示すように、半導体LEDの活性層で発生した光がリッジ構造の傾斜面に到達すると、全反射に伴い二つの界面においてエバネッセント光が生成される。二つのエバネッセント光はリッジの頂上で互いに結合し、非常に高い効率で伝でんぱ播光に変換され、空気中に放出される。GaAsおよびAlGaInP系材料を用いた実験で、全発光量の半分近くの光が直接取り出されていることを確認した。本技術によると、全反射成分の光を直接取り出すことができるため、従来技術の限界を超える光取出し効率が実現でき、超高効率で樹脂封止を必要としない次世代の一般照明用LEDの実現ができる。θ c:全反射臨界角261 紹介する技術とポイント2 技術説明樹脂封止を必要としない超高出力LED樹脂封止しない超高出力LED従来の高出力LED技術・ 裏面に反射率の高いミラーを設け、光をミラーと表面・界面との間で多重反射させる・ 半球状の透明樹脂でチップを封止する本技術による超高出力LED・ 樹脂などを使わずに、全反射成分の光を直接取り出せる本技術の特長・ 樹脂を使わず、従来と同等の効率を実現 効率が従来の10~15倍になる。!! 従来技術 多重反射において、効率の良い銀ミラーを使用しても2割以上の光が吸収される (樹脂封止すると、熱がこもる上に熱や紫外線に樹脂が弱く、LEDの出力を上げられない)156中小企業のための技術宝箱

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