2012年研究カタログ
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■ 産総研からの主な参画研究者 先進製造プロセス研究部門 村山宣光 ■ 担当部署 ナノテクノロジー・材料・製造分野研究企画室 松原一郎 ファインセラミックス技術研究組合(FCRA)組 織 概 要【設立】1981年9月【理事長】高橋 伸夫(日本ガイシ株式会社 執行役員)【現組合員】8社・3機関(2012年9月現在)日本ガイシ(株)、(株)村田製作所、KOA(株)、太陽誘電(株)、電気化学工業(株)、日本特殊陶業(株)、日本ファインセラミックス(株)、(株)ノリタケカンパニーリミテド、(一財)ファインセラミックスセンター、(一社)日本ファインセラミックス協会、(独)産業技術総合研究所 SiCパワー半導体デバイスは、従来よりも高い温度で動作可能という利点があり、高性能電力変換器への応用が期待されています。本研究では、高温で動作するSiCパワー半導体デバイスの近傍に配置できる高耐熱部品を開発します。研 究 概 要●高耐熱部品の開発 (コンデンサ、抵抗、メタライズ放熱基板、配線基板) なお、下記のNEDOプロジェクトでは、技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構が高耐熱部品の実装基盤技術を担当します。産総研の貢献● 先進製造プロセス研究部門が参画● 村山 宣光 研究部門長が技術推進サブリーダーとしてプロジェクトの推進に貢献● 中部センター、つくば第5事業所に集中方式の研究室を設置して研究面から貢献謝 辞 本事業は、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の研究委託事業「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト(高耐熱部品統合パワーモジュール化技術開発)」により行われています。研 究 目 的高耐熱部品の開発及び実装化による小型化の実現コンデンサ抵抗半導体素子ヒートシンクメタライズ放熱基板受動素子(コンデンサ、抵抗)をパワー半導体素子近傍に配置● 研究拠点中部センターつくば中央509特別展示第6会場X-41X-41

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