2012年研究カタログ
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事業のポイント事業のねらい事業の内容連携可能な技術・知財産総研技術移転ベンチャー ■Wafer Integration株式会社 天野佳之/塩田 隆/大木敦己 http://waferintegra.jimdo.com/ メ-ルアドレス ■ 連携担当:ベンチャー支援室 半導体故障解析用ナノプローバ ●産総研の独自技術である自己検知型AFMをプローバに活用 ●実用的で、使いやすいナノレベルでのプロービングを開発 ●ナノレベルのデバイスの電気的な評価を可能に 半導体故障解析において、実デバイスに直接コンタクトが取れるナノプローバの開発により、今まで確認できなかったトランジスターレベルの電気的測定が可能となり、故障原因の解明が容易になります。生産ラインにおいても、微細化に伴って従来の光学式検査装置では確認できなかった故障を発見し、いち早い歩留り改善を行うことができ、半導体の生産性を飛躍的に向上させることができます。ナノサイズのデバイスの開発においても、前もって測定用配線を準備しなくとも デバイスの電気的特性を評価できるため、開発サイクルを短縮できます。 産総研の独自技術である“自己検知型AFM”を用いて、コンパクトで簡便なナノプローバを開発しています。半導体デバイスの故障解析用に最適化することで、小型化(デスクトップ型)とメンテナンスフリーを目指しています。ナノメータオーダの電極に直接コンタクトすることができますので、今まで測定できなかった先端半導体デバイスのトランジスターでも電気測定が可能になります。更にナノサイズのデバイスの開発においても、事前に配線を準備せずに電気的な評価が行えるメリットがありますので、今後も活躍が期待できます。●ナノサイズデバイスの電気的な評価●半導体デバイス故障解析●特許出願情報2010-86105「多探針AFMナノプローバとそれを用いた測定方法」謝辞:本研究の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の平成23年度イノベーション実用化助成事業(研究開発型ベンチャー技術開発助成事業) 「先端半導体デバイス故障解析用ナノプローバの開発」により行われたものです。装置外観、カンチレバー近影、測定例特許:多探針AFMナノプローバとそれを用いた測定● 研究拠点つくば中央447ベンチャー第4会場V-05V-05

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