2012年研究カタログ
272/543

■ 研究担当:茶谷原昭義/杢野由明/坪内信輝/山田英明 ■ ダイヤモンド研究ラボ ■ 連携担当:茶谷原昭義 インチサイズになった単結晶ダイヤモンドウェハ研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●単結晶ダイヤモンドの気相合成・プロセス開発を実施、大面積ウェハ作成技術を構築 ●世界最大級のハーフインチ単結晶ウェハおよび1インチ大の接合型ウェハを実現 ●電子デバイス応用への要となるウェハ製造技術を飛躍的に加速する可能性 単結晶ダイヤモンドは、硬度・熱伝導率など、複数の物性が物質中最高の値を持ちます。取り分け、バンドギャップが広く、且つ、耐熱性が強いため、原理的にはSiCやGaNを超える性能を有する電子デバイス応用の実現に大きな期待が持たれています。 しかしながら、上記した応用の実現には、インチサイズの単結晶ウェハの製造技術が必要となるが、「超」難加工材であることや、大型の単結晶が入手困難であることから、インチサイズウェハが流通していないのが現状です。 大面積の(インチサイズの)単結晶ダイヤモンドウェハを作成するためには、少なくとも①合成速度の向上(<1μm毎時→数10μm毎時)②種結晶の大型化(数mm角→数10mm角)③加工技術を確立しなければなりません。我々は、1.合成条件を改良し数10μm毎時の「高速成長」を達成2.「3次元成長」による種結晶の大型化、単結晶同士の接合 による大面積化を実現3.高速イオン注入を用いた「ウェハ自立化」などに成功し、ハーフインチサイズの単結晶ウェハや、1インチ大の接合型ウェハを実証してきました。●単結晶ダイヤモンド合成に関する技術●イオン注入に関する技術●ダイヤモンド放射線検出器に関する技術● マイクロ波プラズマCVDのシミュレーションに関する技術● 特許出願情報2006-204248(2006/07/27)「オフ角を有する単結晶基板の製造方法」、2008-328987 (2008/12/25)「大面積ダイヤモンド結晶基板の及びその製造方法」�����������������������������������������������������������������高速成長・3次元成長・ウェハ自立化技術111111111113131131313311131111313111111113111131111113131111111113111111131311111111111111113311113313131131311131311311131311111131113131111111111111111111111111mmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmm������������������������������������������������������������������1/2インチ単結晶ウェハと1インチ大の接合型ウェハ● 研究拠点関西センター270ナノテクノロジー・材料・製造分野第3会場N-13N-13

元のページ 

page 272

※このページを正しく表示するにはFlashPlayer10.2以上が必要です