2012年研究カタログ
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■ 研究担当:鹿田真一 ■ ダイヤモンド研究ラボ■ 連携担当:鹿田真一 ダイヤモンド・ウェハとパワーデバイス応用研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●世界最大の1インチ単結晶ウェハ実現 ●電子デバイス応用への要となるウェハ製造技術に目処 ●250℃動作・冷却フリー パワーダイオード試作■ 次世代超低損失パワーデバイス用に、究極の材料ダイヤモンドのウェハ化とデバイスの実証研究を行います。■ デバイスの自己発熱温度(例:200~250℃)で冷却せずに用い、高電圧に耐え、高出力・低損失を実現する新コンセプトのパワーデバイスにより究極の省エネデバイスを目指します。■ 画期的ウェハ製造手法「ダイレクトウェハ化」と「接合」の2つの技術により、これまで夢だった“ウェハ”が現実になってきており、2インチを手始めに大口径ウェハを目指します。その他応用展開の支援をします。■ 種基板へのイオン注入・成長・リフトオフでウェハをコピー製造する「ダイレクトウェハ化」技術を開発。スライスなしにウェハを製造することが可能になりました。■ ダイレクトウェハ化技術により製造したクローンウェハを接合することで、1インチ単結晶ウェハを世界で初めて実現しました。現在、2インチウェハを開発中です。■ 250℃超耐熱パワーダイオードを開発し、250℃で高速スイッチング特性を実証しました。●ダイヤモンドウェハ開発 インチ級の大型単結晶接合ウェハの開発●ダイヤモンドデバイス開発 低損失・高耐圧パワーデバイスの開発●ダイヤモンド材料研究及び多種の応用展開支援 用途に応じた材料開発・機能付与●知財 特許4729741号 「ダイヤモンド製造方法」他多数10mm 世界初の1インチ単結晶ウェハ10mm10mm250℃動作 パワーショットキーダイオード● 研究拠点関西センターつくば中央 269ナノテクノロジー・材料・製造分野第3会場N-12N-12

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