2012年研究カタログ
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■ 研究担当:井上靖朗 ■ ナノデバイスセンター 設計評価室■ 連携担当:福田浩一 / 小川真一(ナノエレ部門) TCAD・分析プラットフォーム研究のポイント研究のねらい研究内容 ●計算論的デバイス設計により、開発の高度化、効率化をサポート ●Heイオン顕微鏡、STEMによるナノ材料、ナノデバイスの評価分析 ●Technical CADと計測技術の連携による高度な分析技術の実現 ナノデバイスセンター設計評価室では、計算論的デバイス設計プラットフォーム(Computing Device Design and Characterization Platform for Nanoelectronics: C2PN)を構築し、その機能を活用して頂くことにより、NPF及びSCR(100mm及び300mmライン)のファシリティーをご活用頂いている利用者の効果的な開発をサポートします。 最先端の評価設備による新材料評価や開発デバイスの構造解析を通して、開発技術の向上に寄与するとともに、三次元Technical CADをベースにニーズに応じた新規物理モデルの組込みにより新規デバイスの最適化をサポートします。 ヘリウムイオンをプローブとして用いたヘリウムイオン顕微鏡(HIM:Helium Ion Microscopy)と収差補正機能を有する走査型透過電子顕微鏡(STEM:Scanning Transmission Electron Microscopy)という最先端の評価設備の観る技術の高度化を進めており、幅広い分析ニーズに答えられるようにしています。TCADにより開発デバイスの最適化を仮想的に効率よく進めることをサポートしており、新しい材料や構造にも対応できるように物理モデルの開発も進めています。また、情報技術研究部門と連携して、大規模・高速化にも耐えられるように開発を進めています。● TCADを用いた新規材料を用いたデバイスや新規構造デバイスの動作に関する解析とモデル開発● ヘリウムイオン顕微鏡を用いた新材料、新規デバイス構造評価技術謝辞: TCAD及び分析技術をご活用頂いていますSCR拠点で研究開発を推進されている各プロジェクトにお礼申し上げます。連携可能な技術・知財図1 TCADのアシストによりSTMで不純物プロファイル抽出を行うシステムを開発図2 ヘリウムイオン顕微鏡(上段)と走査型透過電子顕微鏡(下段)の概観● 研究拠点つくば西256情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-91I-91

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