2012年研究カタログ
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■ 研究担当:堀川剛/外山宗博/佐野作 ■ ナノデバイスセンター 集積実証室■ 連携担当:秦信宏 先端光デバイスファウンダリサービス研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●西スーパークリーンルーム45nmCMOS極微細加工技術を用いた最先端高精度デバイスの試作 ●産学官のシリコンフォトニクス開発をサポートする研究ファブ機能の充実 ●複数ユーザーのマスクシェアリングにより高精度のデバイス試作の機会を広く提供 シリコンフォトニクス技術は電気的信号伝送の限界をブレークする技術として世界的に研究開発が進められています。今回、高速・高密度の信号伝送のために必要となる高い加工精度をスーパークリーンルームに保有する液浸露光に代表される最先端微細加工技術により実現するとともに、共同研究を通じて複数ユーザーがマスクに相乗りしてデバイス作製を行う先端光デバイス試作業務を開始しました。今後、高速光通信やLSIインターコネクションに向けたシリコンフォトニクス技術の実用化開発に貢献します。● スーパークリーンルームに保有する300mmφ集積実証ラインの液浸露光技術及び異方性加工技術を用い、高精度のシリコンフォトニクスデバイスパターン加工を実現 ・ シリコン細線導波路加工精度 ラインエッジラフネス< 3nm、線幅精度< 5nm● 複数ユーザーによるマスクシェアリングを用い、 低コストの光デバイス試作を行うシャトルサービスに向けて、ウエハ、マスク等の関連技術を整備。● 300mmφ45nm世代CMOSプロセスをベースにした高精度微細加工技術●シリコンフォトニクス向けデバイス試作技術謝辞: 300mmラインにおけるフォトニクスプロセス構築においては、PECSTプロジェクト及び東北大工・山田研究室の方々にご議論いただきました。図1 300mmφ微細加工技術で形成される光デバイスの例図2 マスクシェアリングと微細加工技術による先端光デバイスファウンドリ● 研究拠点つくば西255情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-90I-90

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