2012年研究カタログ
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図2半導体ゲルマニウムへのスピン入力を観測するための素子の模式図■ 研究担当:齋藤秀和/Ron Jansen/遠藤和弘 ■ ナノスピントロニクス研究センター 半導体スピントロニクスチーム ナノエレクトロニクス研究部門 シリコンナノデバイスグループ■ 連携担当:齋藤秀和 電子スピンを利用する不揮発性トランジスタ実現へ向けた取り組み研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●次世代半導体材料であるp型ゲルマニウムの中へ室温で電子スピン情報を入力 ●スピントランジスタへの応用に十分な長さのスピン拡散長を室温で確認 ●超省電力のスピントランジスタ実現へ道を拓き、グリーンIT発展への貢献を期待 グリーンITは、クリーンで持続可能な生活環境を守る上での柱となる技術であり、現在、IT機器の省エネルギー化が求められています。このため、スピントロニクスと呼ばれる新技術の導入により、電子デバイスの消費エネルギーの劇的な削減を目指す研究が盛んに行われています。この技術により、磁性体が持つ電子スピン情報(電気を切っても情報は失われない)を半導体中に入力して演算に利用できることが見込まれるため、超省電力のスピントランジスタ(図1)の実現が期待されています。 ナノスピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】半導体スピントロニクスチーム Ron Jansen(ロン・ヤンセン)招聘研究員、齋藤 秀和 研究チーム長は、世界で初めて次世代半導体材料のp型ゲルマニウムの中へ、室温で磁性体のスピン情報を入力することに成功しました(図2)。本成果は、スピントランジスタの実現に繋がるものであり、将来のグリーンITの発展に大きく貢献できると期待されます。今後は、さらに電子スピン入力の高効率化に取り組み、ゲルマニウムを用いたスピントランジスタの実現を目指します。謝辞: 本研究の一部は、独立行政法人日本学術振興会「最先端・次世代研究開発支援プログラム(平成22年~25年度)」による支援を受けて行っています。図1 スピントランジスタの模式図● 研究拠点つくば中央244情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-79I-79

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