2012年研究カタログ
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■ 研究担当:前田辰郎 ■ ナノエレクトロニクス研究部門 新材料・機能インテグレーショングループ■ 連携担当:安田哲二 研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●ポストSi材料(Ge, III-V族化合物半導体)とSiデバイスとの混載を可能にする転写技術 ●Siバックエンド環境下(~400℃以下)プロセスが可能な低温Ge/III-Vデバイス作製技術 ●Siだけでは不可能な新機能•高集積化ハイブリッドチップの実現に期待 現在、Siを用いたデバイスがエレクトロニクスの主流ですが、その高度集積化は物理的な限界に近づいています。一方で、今後のエレクトロニクス産業においては、さらなる高付加価値デバイスの実現が期待されています。そのために、我々はポストSi材料であるGe、III-V族化合物半導体とSi LSIとを融合させる技術を開発しています。ポストSi材料のSiバックエンド環境下でのデバイス作製技術と、Si LSIへの転写技術を融合させることで、電子デバイスと光学デバイスのワンチップ化など、多機能化と高集積化を両立した新デバイスの実現を目指しています。 これまでポストSi材料とSi LSIを融合させるためのハイブリッド半導体技術開発の研究を進めてきました。ポストSi材料は高い移動度や直接遷移を利用したフォトニック材料として、Siでは実現不可能だったさまざまな機能をもっています。こうした材料を、高度なSi集積化技術と融合させるために、GeおよびIII-V半導体エピタキシャル成長技術を利用した結晶転写技術を開発し、容易にウエハレベルでの混載を可能にしました。また、400℃以下のSiバックエンド環境下でのGeおよびIII-V族半導体デバイスの作製とそのCMOS動作にも成功しました。●Ge、III-V族化合物半導体の転写技術● Ge、III-V族化合物半導体のSiバックエンド環境下でのデバイス化技術とその評価技術● 特許出願情報 特願2011-130730(2011/06/10) 「半導体デバイス、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法」● 特願2012-136448 (2012/07/13)「半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法」等ポストSi材料・デバイスのバックエンド集積化技術● 研究拠点つくば中央238情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-73I-73

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