2012年研究カタログ
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10-1310-1210-1110-1010-910-810-710-610-5-2-1012345Id [ A ]VCG [ V ]����������������図2 作製したポリシリコンチャネルスプリットゲート型FinFETフラッシュメモリ特性■ 研究担当:昌原明植/柳永勛/松川貴/遠藤和彦 ■ ナノエレクトロニクス研究部門 シリコンナノデバイスグループ■ 連携担当:鈴木英一 研究のポイント研究のねらい研究内容 ●産総研発立体チャネルデバイス技術を用いた新規グリーン・デバイス ●多結晶シリコンによる三次元超高集積可能な微細フラッシュメモリ ●20nm技術世代以降におけるフラッシュメモリの低コスト化・高集積化に道 フラッシュメモリは、我が国半導体産業の要であるとともに、データセンタ等で使用される大容量記憶装置の低消費電力化の切り札として期待されています。しかしながら、近年の微細化・高集積化に伴い、セルトランジスタ自体の特性破綻やセル間の電気的干渉といった問題が健在化しており、更なる集積度向上が困難な状況にあります。 産総研では、上記問題の解決を目指して、微細化に対し強靱なFinFET構造と低コストで三次元超高集積が可能な多結晶シリコン材料を合わせた、多結晶シリコンチャネル微細FinFETフラッシュメモリの開発を進めています。 図1に、多結晶シリコンチャネルスプリットゲート型FinFETフラッシュメモリの構造を、図2にメモリ特性を示します。スプリットゲート構造の採用により、プログラム/消去サイクル時の特性ばらつきが劇的に改善します。また、チャネルに多結晶シリコンを用いた場合においても、特性ばらつきやメモリ特性は結晶シリコンの場合とほぼ同等なものが得られることがわかりました。多結晶シリコンは、堆積プロセスにより膜製造が可能です。すなわち、多結晶シリコンの堆積と加工を繰り返すことで、容易に、かつ安価に三次元集積が可能となります。低コスト高集積多結晶シリコンFinFETフラッシュメモリの開発連携可能な技術・知財●極微細CMOS作製および評価●極微細フラッシュ作製及び評価●新材料・新構造・新プロセス評価謝辞: 本研究の一部は、NEDO プロジェクト「ナノテク・先端部材実用化研究開発」の助成を受けて行われました。図1 新開発ポリシリコンチャネルスプリットゲート型FinFETフラッシュメモリ● 研究拠点つくば中央237情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-72I-72

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