2012年研究カタログ
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■ 研究担当:中野隆志/フォンス ポール ■ ナノエレクトロニクス研究部門 相転移新機能デバイスグループ■ 連携担当:安藤淳 相転移新機能デバイスの開発研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●光ディスク、相変化メモリに続く相転移利用の新デバイス開発 ●相転移材料が示す新機能等の特性解析等による材料科学の推進 ●相変化メモリと新機能の融合による新アプリケーションの提案 現在、産総研が中心となって研究開発を進めている、超格子型相変化材料を用いた相変化メモリは、合金を用いた従来型と比較して低消費電力化や高速スイッチングが実現できる特性を有しています。この超格子型の相変化材料では、THz波に対する応答や磁気に対する新しい特性が発見されているとともに、相変化を生み出す過程自体も興味深く、結晶―結晶相変化やトポロジカル相転移等を含めた、相転移の利用が検討され始めてきています。本研究では、超格子型相変化材料を用い、新たに見いだされた特性を利用した“相転移新機能デバイス”を開発していきます。・新機能デバイスの創成 超格子型相変化材料が示す物理現象(磁気特性 やTHz応答等)の特性評価を進め、相変化記録と磁気(スピン)相互作用の融合デバイス(情報多重、制御)や、THz波や光との融合デバイス(通信、画像処理)等の開発を進めます。関連発表:I-68超格子相変化メモリの磁気特性・相転移材料の評価・解析 第一原理計算によるシミュレーションによる材料設計とXRF等を用いたナノ領域のその場観察による特性解析によって、デバイス特性の改善を進めていきます。関連発表:I-69 相変化メモリのナノ領域その場観察●THzによる特性解析●磁気光学特性の評価・解析●特許 第4595125号 (2010/10/1) 「固体メモリ」● 特許 第4621897号 (2010/11/12) 「固体メモリ」相転移を利用した新デバイスの展開● 研究拠点つくば中央232情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-67I-67

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