2012年研究カタログ
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■ 研究担当:安藤淳/清水哲夫 ■ ナノエレクトロニクス研究部門/ナノシステム研究部門 ナノ光電子応用研究グループ■ 連携担当:安藤淳 研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●単層化によりグラフェンをしのぐ高移動度が期待される未開拓材料 ●微細トランジスタ、LEDや太陽電池などへの応用に期待 ●各種ナノツールや外部連携を活用して研究開発を強力に推進 二硫化モリブデン(MoS2)は、層状構造を有する化合物半導体で、これまで潤滑剤や脱硫触媒などに用いられてきましたが、電子材料としては未開拓でした。単層化によりグラフェンをしのぐ電界効果移動度を有することが2011年に報告されて以来、各国で精力的に研究され始めています。産総研では、グラフェンに続く将来のトランジスタチャネル材料候補であるMoS2の可能性を早期に検証するために、独自技術であるナノツール群や大学等の外部連携も活用し、単結晶作成・薄膜成長・電子デバイス作製と特性評価等に取り組んでいます。 産総研で開発・保有されている‘Nanomanipulator’などのナノツール群も活用し、天然鉱物剥片試料を用いた3端子デバイスの試作と評価を進めています。また、大学等との外部連携も活用して、電子デバイス技術として重要な金属電極/MoS2チャネル界面特性の評価とその制御法の研究も進めています。今後、大型試料が作成可能なハロゲン気相輸送成長法による人工結晶作成法、応用展開時に重要となる高品質薄膜成長法や損傷の少ないMoS2薄膜加工法等の検討も進めていきます。● ナノ材料のマニピュレーション技術(走査電子顕微鏡観察下‘Nanomanipulator’)●ナノ材料の電気および機械特性評価技術●走査プローブ顕微鏡法による局所電気特性評価技術● ノウハウ登録番号:H17NOH-331 名称:ナノ材料の強度、電気伝導度同時測定図1 二硫化モリブデンと結晶構造図2‘Nanomanipulator’と、デバイス試作の様子層状化合物半導体エレクトロニクス● 研究拠点つくば中央230情報通信・エレクトロニクス分野第3会場I-65I-65

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