2012年研究カタログ
214/543

■ 研究担当:澤彰仁/井上 公/山田 浩之/渋谷 圭介 ■ 電子光技術研究部門 強相関エレクトロニクスグル-プ■ 連携担当:小森和弘 強相関酸化物不揮発デバイスの研究開発研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●わずかな電圧で強相関電子材料の電子相転移を制御する技術を開発 ●導電性をもつ酸化物強誘電体を用いた新しい抵抗変化メモリを開発 ●高密度の不揮発性メモリの実用化を加速 強相関電子系の電子相制御という新動作原理に基づく革新的な新機能デバイスの研究開発を行っています。電荷量の制御に基づく従来の半導体技術では、微細化にともない短チャンネル効果や電流駆動能力などの問題が生じます。それに対し、強相関電子技術は強い相関をもつ電子集団が作る電子相の制御に基づくことから、ナノメートルスケールに微細化しても、半導体技術において生じる諸問題が顕在化しません。この特長を活用し、半導体のスケーリング限界を超えた領域で動作する低消費電力スイッチ、メモリなどのデバイス技術の基盤確立を目指しています。 強相関電子材料の電子相転移を電圧で制御する新しい原理のトランジスタ(モットトランジスタ)のプロトタイプ素子を開発し、わずかな電圧をかけることによって強相関電子材料のマンガン酸化物を絶縁体から金属へと変化させることに成功しました。また、酸化物強誘電体の電気分極反転を利用して、素子の電気抵抗を可逆的に変化させることができる新しい抵抗変化メモリを開発しました。これらの技術開発により、酸化物を用いた低消費電力スイッチ、高密度不揮発性メモリの実用化を前進させることが期待されます。● 酸化物材料・薄膜の作製・評価● 酸化物不揮発性メモリの作製・評価● 特願2010-112133 (2010/05/14)「複合酸化物をチャンネルとする電界効果トランジスタ」● 特願2011-141308 (2011/06/27)「不揮発性メモリ素子」謝辞: 本研究の一部は、JST-CREST「機能性酸化物を用いたナノ界面相転移デバイス開発」、最先端研究開発支援プログラム「強相関量子科学」により行われたものです。電子相転移を利用したトランジスタ(動作実証用素子)強誘電分極反転を利用した不揮発性メモリの動作特性● 研究拠点つくば中央212情報通信・エレクトロニクス分野第2会場I-47I-47

元のページ 

page 214

※このページを正しく表示するにはFlashPlayer10.2以上が必要です