2012年研究カタログ
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■ 研究担当:奥村元(研究センター長) ■ 先進パワーエレクトロニクス研究センター■ 連携担当:伊達正和 高効率電力利用の切り札次世代パワーエレクトロニクス研究のポイント研究のねらい研究内容連携可能な技術・知財 ●次世代高機能パワーエレクトロニクスは、持続可能な社会の切り札 ●シリコン(Si)に代わるワイドギャップ半導体(SiC,GaN)のパワーデバイス ●半導体材料から素子開発、応用機器までの一貫研究体制での研究開発 将来におけるエネルギー利用の高度化・高効率化を目指して、風力や太陽光などの自然エネルギーを利用した発電やスマートグリッドなどの高度な電力制御の実現に注目が集まっています。これらの実現には、パワーエレクトロニクス技術(電圧、電流、周波数等を使いやすいものに変換する技術)の高機能化と大量導入が必要になります。 こうした背景から、現在のシリコン(Si)パワー半導体に立脚するパワーエレクトロニクスの性能限界を突破するワイドバンドギャップ半導体(SiC,GaN)を用いたパワーエレクトロニクスの実用化に取り組んでいます。 Si半導体に立脚する現在のパワーエレクトロニクスの限界を突破するために、SiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体による高機能パワーエレクトロニクス技術の確立に向けた研究開発を実施しています。 当研究センターでは、これら半導体材料の結晶・ウエハ技術から、パワー素子開発、電力変換器設計技術に至るまでの幅広い技術領域を一貫研究体制でカバーするとともに、産業界とも積極的に連携を図りながら研究開発を行い、早期実用化の観点から、それらの積極的な技術移転に努めています。● 世界最大級のSiC素子の試作量産ラインを活用した素子/プロセス開発●素子提供を通じた素子利用技術の研究促進●ウエハや素子の検査・評価設備を用いた研究開発謝辞: 紹介する研究の一部は、経済産業省(NEDOを含む)、文部科学省(JSTを含む)、内閣府等の支援を受けて実施された研究の成果を含んでいます。�図1 電力利用の各段階で活躍するパワーエレクトロニクス(電力変換器)● 研究拠点つくば中央つくば西19環境・エネルギー分野第3会場E-04E-04

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