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プレスリリース等一覧
発表・掲載日
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件名
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研究ユニット
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分野
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関連
昇順 降順ソート済み
2013年02月01日
強磁性ナノコンタクト素子によるミリ波発振 [ PDF:1.4MB ]
ナノスケールの電流制御型発振素子を理論提案
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2013年01月30日
粒子含有樹脂フィルムの写真の一部これまでで最高温度となる153 Kでの超伝導転移を観測
−銅酸化物高温超伝導体のもつ高い潜在能力を引き出す−
電子光技術研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2013年01月29日 先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2013年01月28日
ハンディ燃料電池システムの外観と概念図ハンディ燃料電池システムを開発
−市販LPGカセットボンベを使って災害・非常時でも発電可能−
先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年11月20日
1,000個の色変化素子を使用した色変化オブジェの写真量産容易な印刷技術によるプルシアンブルー色可変素子の製造
−ナノ粒子製造から、印刷による成膜・パターニング、素子化までの工程を確立−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年11月12日
実証試験プラントの一部である放射性セシウム除染回収装置写真の一部植物系放射性セシウム汚染物を除染・減容するための実証試験プラント
−ナノ粒子吸着材を利用し汚染物を1000分の1に減容することを目指す−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年11月01日
室温でゲルマニウムにスピン情報を入力 [ PDF:979KB ]
超省電力トランジスタ実現へ道を拓く
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2012年09月05日
モニタリングシステムの写真の一部水中の低濃度の溶存態放射性セシウムを簡易・迅速に測定
−福島県内の河川水中の溶存態放射性セシウム濃度を測定−
地圏資源環境研究部門
ナノシステム研究部門
 地質
 ナノテクノロジー・材料・製造
2012年09月03日
プルシアンブルーナノ粒子でセシウムを吸着
放射能汚染焼却灰の適切な処理に活用
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年08月27日
強磁性ナノコンタクト素子の模式図強磁性ナノコンタクト素子によるミリ波発振
−ナノスケールの電流制御型発振素子を理論提案−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2012年05月08日
半導体ゲルマニウムへのスピン入力を観測するための素子の模式図室温で半導体ゲルマニウムに電子スピン情報を入力
−超省電力トランジスタ実現へ道を拓く−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2012年02月08日
プルシアンブルーナノ粒子吸着材の写真ナノ粒子化したプルシアンブルーでセシウム吸着能が向上
−放射能汚染焼却灰の適切な処理への活用へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年09月14日
開発したセラミック電解質シートの写真次世代蓄電池用セラミック電解質シート
−高いリチウムイオン伝導率を示す柔軟で薄い大面積シート−
先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年09月01日
微細金属配線を印刷したエレクトロクロミック素子
調光ガラスや電子ペーパーの大面積化へ
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月31日
開発した耐熱フィルムの写真土壌中のセシウムを低濃度の酸で抽出することに成功
−プルシアンブルーナノ粒子吸着材で回収し放射性廃棄物の大幅な減量化へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月24日
プルシアンブルーを利用したセシウム吸着材プルシアンブルーを利用して多様な形態のセシウム吸着材を開発
−汚染水や土壌などさまざまな環境に適用可能−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月01日
低温で発電できるマイクロSOFC
低温域でのメタン燃料の直接改質発電を世界で初めて実証
先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年02月15日
エレクトロクロミック素子の色変化の様子写真の一部微細金属配線の印刷によりエレクトロクロミック素子の性能を向上
−調光ガラスや電子ペーパーの大面積化へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年01月17日
セル概要の画像450℃の低温で発電できるマイクロ固体酸化物形燃料電池
− 低温域でのメタン燃料の直接改質発電を世界で初めて実証 −
先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2010年11月01日
スピンRAMの大容量化を目指す垂直磁化TMR素子
5Gbitを超えるスピンRAM(MRAM)の設計が可能に
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス

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