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情報通信・エレクトロニクス分野の主な研究成果

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情報通信・エレクトロニクス分野の主な研究成果一覧
発表・掲載日
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カテゴリ
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件名
昇順ソート済み 降順
研究ユニット
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分野
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関連
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2010年12月08日 プレスリリース
主な研究成果
シリコン基板上に直接成長した高誘電率結晶膜(HfO2)の電子顕微鏡写真の一部0.5 nmの非常に薄い高誘電率ゲート絶縁膜を開発
−より低消費電力の集積回路が製造可能に−
ナノ電子デバイス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年11月07日 主な研究成果
出版物
ライフエレクトロニクス研究ラボ  情報通信・エレクトロニクス
2011年12月08日 プレスリリース
主な研究成果
立体型トランジスタのオン電流ばらつき要因図の一部14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
−14 nm世代以降のSRAMをはじめとする集積回路の歩留まり向上に貢献−
ナノエレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2002年10月24日 プレスリリース
主な研究成果
1Tr型FeRAM(強誘電体メモリ)を開発
−超Gbit次世代半導体メモリの実現に向けて−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2007年07月20日 主な研究成果 グリッド研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2006年12月12日 プレスリリース
主な研究成果
トランジスタ断面の透過電子顕微鏡の写真32ナノ世代LSI用ひずみ構造のn型トランジスタを開発
−電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善−
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2013年03月01日 主な研究成果
出版物
3次元応力解析シミュレーター [ PDF:885KB ]
光学顕微鏡を使ってナノメートルレベルで解析
ナノエレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2002年12月04日 主な研究成果
出版物
次世代光工学研究ラボ  情報通信・エレクトロニクス
2003年12月09日 プレスリリース
主な研究成果
4端子駆動型ダブルゲートMOSFET4端子駆動型ダブルゲートMOSFETの開発に成功
−4端子駆動で省エネ化と高速化を両立−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2004年02月09日 主な研究成果
出版物
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2007年05月01日 主な研究成果
出版物
AIST−SOA仮想クラスタ管理システムの開発
仮想化技術を活用した柔軟なデータセンターの実現に向けて
グリッド研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年07月07日 主な研究成果
出版物
グリッド研究センター
ライフエレクトロニクス研究ラボ
 情報通信・エレクトロニクス
2004年09月06日 主な研究成果
出版物
グリッド研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2004年09月06日 主な研究成果
出版物
グリッド研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2002年12月04日 特許情報
出版物
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2004年10月15日 プログラムおよびソフトウェア
出版物
情報処理研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2004年05月31日 主な研究成果 サイバーアシスト研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年08月12日 主な研究成果
出版物
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2004年03月24日 プレスリリース
主な研究成果
10μm径の窒化ボロン微粒子EUVリソグラフィー実現に向け、錫微粒子クラスタで変換効率3%に目途
−EUVリソグラフィーの最重要課題の解決に道を拓く−
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2004年10月15日 主な研究成果
出版物
知能システム研究部門  情報通信・エレクトロニクス

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