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カテゴリ
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件名
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研究ユニット
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分野
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関連
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| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
 SOI基板チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
ソース チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
ドレイン チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
イオン注入 チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
PN接合 チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
エネルギー障壁 チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
|
無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
ドレイン電流 チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
ドレイン電圧 チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
特性ばらつき 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
14 nm世代 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
フィンFET 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
非晶質 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
SRAM（Static Random Access Memory） 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
システムLSI 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
オン電流ばらつき 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
オフ電流ばらつき 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
仕事関数 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
しきい値電圧 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
多結晶 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||||||
| 2012年12月12日 |
研究用語
プレスリリース |
相互コンダクタンス 特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現（関連記事タイトル） |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 |
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