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とうほうせい等方性
これまでで最高温度となる153 Kでの超伝導転移を観測(関連記事タイトル)
2013年01月30日 電子光技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どーぴんぐドーピング
フレキシブルなカーボンナノチューブ透明導電フィルム(関連記事タイトル)
2013年01月25日 電子光技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
とつぜんへんい突然変異
全ゲノム配列を用いてヒトの進化を再構築(関連記事タイトル)
2013年01月15日 バイオメディシナル情報研究センター
 ライフサイエンス
とつぜんへんいりつ突然変異率
全ゲノム配列を用いてヒトの進化を再構築(関連記事タイトル)
2013年01月15日 バイオメディシナル情報研究センター
 ライフサイエンス
とらんじすたトランジスタ
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんドレイン
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんでんりゅうドレイン電流
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんでんあつドレイン電圧
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
とくせいばらつき特性ばらつき
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
とっぷげーとトップゲート
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とらんじすたきょくせいトランジスタ極性
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とらんすぽーとぎゃっぷトランスポートギャップ
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とうごうちしつずでーたべーす (GeoMapDB)統合地質図データベース(GeoMapDB)
国内の地質図を誰もが簡単に利用できるウェブサイトを提供(関連記事タイトル)
2012年12月06日 地質情報研究部門
 地質
どーぱんとドーパント
半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定(関連記事タイトル)
2012年11月15日 計測フロンティア研究部門
 計測・計量標準
どーぴんぐドーピング
半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定(関連記事タイトル)
2012年11月15日 計測フロンティア研究部門
 計測・計量標準
とうかがたでんしけんびきょう透過型電子顕微鏡
半導体炭化ケイ素(SiC)に微量添加された窒素ドーパントの格子位置を決定(関連記事タイトル)
2012年11月15日 計測フロンティア研究部門
 計測・計量標準
どうてきねんだんせいそくてい動的粘弾性測定
極少量でイオン液体をゲル化する材料(関連記事タイトル)
2012年11月07日 ナノシステム研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
とりくろろべんぜんトリクロロベンゼン
液体を強くはじく表面に半導体を塗布する新しい製膜技術(関連記事タイトル)
2012年10月31日 フレキシブルエレクトロニクス研究センター
電子光技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どーぱんときいんのとくせいばらつきドーパント起因の特性ばらつき
グラフェンの新しい伝導制御技術を開発(関連記事タイトル)
2012年09月25日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とらんすぽーとぎゃっぷトランスポートギャップ
グラフェンの新しい伝導制御技術を開発(関連記事タイトル)
2012年09月25日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
 情報通信・エレクトロニクス

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