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22 nmてくのろじーのーど22 nmテクノロジーノード
微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター(関連記事タイトル)
2012年09月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2.4 GHz ISM たい2.4 GHz ISM 帯
低消費電力で信号強度の変動に頑健な屋内測位システム(関連記事タイトル)
2010年09月28日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2じいおんしつりょうぶんせきけい(SIMS)2次イオン質量分析計(SIMS)
燃料電池セル内の酸素イオン分布の可視化に成功(関連記事タイトル)
2010年08月30日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製(関連記事タイトル)
2010年06月15日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2じゅうげーとでんかいこうかとらんじすた(XMOSFET)2重ゲート電界効果トランジスタ(XMOSFET)
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製(関連記事タイトル)
2010年06月15日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2Mbps2Mbps
複雑な配線を1本にしてノイズに強く低コストの省配線化技術を実現(関連記事タイトル)
2009年02月25日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
フィン型トランジスタのばらつき要因を解決した新型SRAM回路の試作に成功(関連記事タイトル)
2008年12月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2じゅうげーとでんかいこうかがたとらんじすた (XMOSFET)2重ゲート電界効果型トランジスタ(XMOSFET)
フィン型トランジスタのばらつき要因を解決した新型SRAM回路の試作に成功(関連記事タイトル)
2008年12月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2004ねんすまとらとうおきじしん2004年スマトラ島沖地震
タイ南部沿岸の堆積物に記録された過去の巨大津波(関連記事タイトル)
2008年10月30日 活断層研究センター
 地質
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案(関連記事タイトル)
2007年09月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2じゅうげーとでんかいこうかとらんじすた(XMOSFET)2重ゲート電界効果トランジスタ(XMOSFET)
フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案(関連記事タイトル)
2007年09月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2じいおんしつりょうぶんせき2次イオン質量分析
シリコン半導体デバイスの高集積化を可能にするイオン注入技術(関連記事タイトル)
2007年03月05日 計測フロンティア研究部門
 計測・計量標準
21せいきなのてくのろじーけんきゅうかいはつほう21世紀ナノテクノロジー研究開発法
新技術開発の方向性について一般市民の意見を生かす(関連記事タイトル)
2006年12月15日 ナノテクノロジー研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
2そくほこうぎじゅつ2足歩行技術
産学官連携プロジェクト「ユーザ指向ロボットオープンアーキテクチャの開発」を開始(関連記事タイトル)
2006年06月27日 知能システム研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2005ねんぱきすたんじしん2005年パキスタン地震
2005年パキスタン地震の地震断層を現地で確認 (関連記事タイトル)
2006年02月03日 活断層研究センター
 地質
21せいきCOEぷろぐらむ21世紀COEプログラム
人および動作の認識方式で世界最高性能を達成 (関連記事タイトル)
2005年05月24日 フェロー
 情報通信・エレクトロニクス
2×2しゅうきこうぞう2×2周期構造
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造

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