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2-おきさぞりじのんゆうどうたい2-オキサゾリジノン誘導体
二酸化炭素から医農薬中間体を効率的に合成（関連記事タイトル）
2013年03月06日 環境化学技術研究部門
 環境・エネルギー
 無
22 nmてくのろじーのーど22 nmテクノロジーノード
微細シリコンデバイスのための3次元応力解析シミュレーター（関連記事タイトル）
2012年09月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2.4 GHz ISM たい2.4 GHz ISM 帯
低消費電力で信号強度の変動に頑健な屋内測位システム（関連記事タイトル）
2010年09月28日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2じいおんしつりょうぶんせきけい(SIMS)2次イオン質量分析計(SIMS)
燃料電池セル内の酸素イオン分布の可視化に成功（関連記事タイトル）
2010年08月30日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
 無
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製（関連記事タイトル）
2010年06月15日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2じゅうげーとでんかいこうかとらんじすた(XMOSFET)2重ゲート電界効果トランジスタ（XMOSFET）
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製（関連記事タイトル）
2010年06月15日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2Mbps2Mbps
複雑な配線を1本にしてノイズに強く低コストの省配線化技術を実現（関連記事タイトル）
2009年02月25日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
フィン型トランジスタのばらつき要因を解決した新型SRAM回路の試作に成功（関連記事タイトル）
2008年12月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2じゅうげーとでんかいこうかがたとらんじすた (XMOSFET)2重ゲート電界効果型トランジスタ（XMOSFET）
フィン型トランジスタのばらつき要因を解決した新型SRAM回路の試作に成功（関連記事タイトル）
2008年12月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2004ねんすまとらとうおきじしん2004年スマトラ島沖地震
タイ南部沿岸の堆積物に記録された過去の巨大津波（関連記事タイトル）
2008年10月30日 活断層研究センター
 地質
 無
22nmせだいとらんじすたぎじゅつ22nm世代トランジスタ技術
フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案（関連記事タイトル）
2007年09月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2じゅうげーとでんかいこうかとらんじすた（XMOSFET）2重ゲート電界効果トランジスタ（XMOSFET）
フィン型トランジスタを用いたSRAMの新回路構成を考案（関連記事タイトル）
2007年09月18日 エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2じいおんしつりょうぶんせき２次イオン質量分析
シリコン半導体デバイスの高集積化を可能にするイオン注入技術（関連記事タイトル）
2007年03月05日 計測フロンティア研究部門
 計測・計量標準
 無
21せいきなのてくのろじーけんきゅうかいはつほう21世紀ナノテクノロジー研究開発法
新技術開発の方向性について一般市民の意見を生かす（関連記事タイトル）
2006年12月15日 ナノテクノロジー研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
 無
2そくほこうぎじゅつ2足歩行技術
産学官連携プロジェクト「ユーザ指向ロボットオープンアーキテクチャの開発」を開始（関連記事タイトル）
2006年06月27日 知能システム研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2005ねんぱきすたんじしん2005年パキスタン地震
2005年パキスタン地震の地震断層を現地で確認　（関連記事タイトル）
2006年02月03日 活断層研究センター
 地質
 無
21せいきCOEぷろぐらむ21世紀COEプログラム
人および動作の認識方式で世界最高性能を達成　（関連記事タイトル）
2005年05月24日 フェロー
 情報通信・エレクトロニクス
 無
2×2しゅうきこうぞう2×2周期構造
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功　（関連記事タイトル）
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
 無

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