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2×2しゅうきこうぞう2×2周期構造
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
3〜4ぶんしそう3〜4分子層
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
CMOSCMOS
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
HIGH-Kざいりょうhigh-k材料
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
LSILSI
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
N2/H2がすをもちいたちょくせつねつちっかぷろせすN2/H2ガスを用いた直接熱窒化プロセス
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
ULSIULSI
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
あとむてくのろじーけんきゅうたいアトムテクノロジー研究体(JRCAT)
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
あもるふぁすアモルファス構造
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
げーとゲート
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
しりけーとシリケート
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
ちゃねるチャネル
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
とらんじすたトランジスタ
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
きゅうしゅん急峻 (きゅうしゅん)
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
しゅうたん終端 (しゅうたん)
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
たんいつぶんしそう単一分子層
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
ちっかしりこんまく窒化シリコン膜
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
とんねるこうか電子のトンネル効果
究極の薄さの窒化シリコン膜の形成に成功 (関連記事タイトル)
2001年12月20日
 ナノテクノロジー・材料・製造
ISISO (国際標準化機構)
セキュリティ機能を組み込んだDR圧縮を測量地図配信で実用化 (関連記事タイトル)
2001年10月02日
 情報通信・エレクトロニクス
JBIGほうしきJBIG (Joint Bi-level Image experts Group) 方式
セキュリティ機能を組み込んだDR圧縮を測量地図配信で実用化 (関連記事タイトル)
2001年10月02日
 情報通信・エレクトロニクス

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