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ぐらふぇんグラフェン
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とっぷげーとトップゲート
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
おん・おふひオン・オフ比
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とらんじすたきょくせいトランジスタ極性
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
だいきぼしゅうせきかいろ(LSI)大規模集積回路(LSI)
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
ばんどぎゃっぷバンドギャップ
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
とらんすぽーとぎゃっぷトランスポートギャップ
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
へりうむいおんけんびきょうヘリウムイオン顕微鏡
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
nがた、pがたn型、p型
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
りそぶらふぃーリソグラフィー
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
ふぇるみじゅんいフェルミ準位
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
そーす・どれいんソース・ドレイン
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
ふじゅんぶつどーぴんぐ不純物ドーピング
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
CMOSCMOS
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
CVDほう (かがくてききそうたいせきほう)CVD法(化学的気相堆積法)
新しい動作原理のグラフェントランジスタを開発(関連記事タイトル)
2012年12月11日 ナノエレクトロニクス研究部門
ナノデバイスセンター
 情報通信・エレクトロニクス
だいやもんどはんどうたいダイヤモンド半導体
真空を利用したパワースイッチを開発(関連記事タイトル)
2012年12月10日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
ぱわーすいっちパワースイッチ
真空を利用したパワースイッチを開発(関連記事タイトル)
2012年12月10日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
すまーとぐりっどスマートグリッド
真空を利用したパワースイッチを開発(関連記事タイトル)
2012年12月10日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
しんくうぱわーすいっち真空パワースイッチ
真空を利用したパワースイッチを開発(関連記事タイトル)
2012年12月10日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー
ちょくりゅうそうでん直流送電
真空を利用したパワースイッチを開発(関連記事タイトル)
2012年12月10日 エネルギー技術研究部門
 環境・エネルギー

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