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そーすソース
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんドレイン
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
いおんちゅうにゅうイオン注入
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
PNせつごうPN接合
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
えねるぎーしょうへきエネルギー障壁
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんでんりゅうドレイン電流
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
どれいんでんあつドレイン電圧
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
とくせいばらつき特性ばらつき
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
14 nmせだい14 nm世代
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
ふぃんFETフィンFET
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
ひしょうしつ非晶質
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
SRAM (Static Random Access Memory)SRAM(Static Random Access Memory)
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
しすてむLSIシステムLSI
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
おんでんりゅうばらつきオン電流ばらつき
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
おふでんりゅうばらつきオフ電流ばらつき
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
しごとかんすう仕事関数
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
しきいちでんあつしきい値電圧
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
たけっしょう多結晶
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
そうごこんだくたんす相互コンダクタンス
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
PelgromぷろっとPelgromプロット
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現(関連記事タイトル)
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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