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ちゅうせいか中性化
ヘリウムイオン顕微鏡像の解像度向上を理論で予測（関連記事タイトル）
2012年12月21日 ナノシステム研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
 無
ないかくでんし内殻電子
ヘリウムイオン顕微鏡像の解像度向上を理論で予測（関連記事タイトル）
2012年12月21日 ナノシステム研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
 無
いんぱくといおんかインパクトイオン化
ヘリウムイオン顕微鏡像の解像度向上を理論で予測（関連記事タイトル）
2012年12月21日 ナノシステム研究部門
 ナノテクノロジー・材料・製造
 無
べいこくせいふやせきゅりてぃーぎょうかいがすいしんしているひょうじ米国政府やセキュリティー業界が推進している標準規格（OVAL）、セキュリティー検査言語OVAL (Open Vulnerability and Assessment Language)
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
べいこくひょうじゅんだんたい米国標準団体
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
おぺれーてぃんぐ・しすてむオペレーティング・システム
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
おーぷんそーす・そふとうえあ (おーぷんそーす)オープンソース・ソフトウエア（オープンソース）
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
きじゃくせい脆弱性
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
でーたこうぞうデータ構造
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
XML (Extensible Markup Language)XML (Extensible Markup Language)
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
くらうど(くらうどこんぴゅーてぃんぐ、くらうどさーびす)クラウド（クラウドコンピューティング、クラウドサービス）
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
かようせい・あくせすせい可用性・アクセス性
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
Java (Javaげんご)Java（Java言語）
セキュリティー管理ソフトウエアSIX OVALが業界標準の規格準拠認定（関連記事タイトル）
2012年12月18日 情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
ぶるーむプルーム
沖縄県久米島西方海域に新たな海底熱水活動域を発見（関連記事タイトル）
2012年12月12日 地質情報研究部門
 地質
 無
ちむにーチムニー
沖縄県久米島西方海域に新たな海底熱水活動域を発見（関連記事タイトル）
2012年12月12日 地質情報研究部門
 地質
 無
ちゃねるチャネル
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル）
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
とらんじすたトランジスタ
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル）
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
さんらん散乱
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル）
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
だいきぼしゅうせきかいろ(LSI)大規模集積回路(LSI)
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル）
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無
SOIきばんSOI基板
チャネル長3 nmのトランジスタ動作に成功（関連記事タイトル）
2012年12月12日 ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 無

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