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プレスリリース一覧
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2012年11月12日 実証試験プラントの一部である放射性セシウム除染回収装置写真の一部植物系放射性セシウム汚染物を除染・減容するための実証試験プラント
−ナノ粒子吸着材を利用し汚染物を1000分の1に減容することを目指す−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年02月08日 プルシアンブルーナノ粒子吸着材の写真ナノ粒子化したプルシアンブルーでセシウム吸着能が向上
−放射能汚染焼却灰の適切な処理への活用へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月31日 開発した耐熱フィルムの写真土壌中のセシウムを低濃度の酸で抽出することに成功
−プルシアンブルーナノ粒子吸着材で回収し放射性廃棄物の大幅な減量化へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月24日 プルシアンブルーを利用したセシウム吸着材プルシアンブルーを利用して多様な形態のセシウム吸着材を開発
−汚染水や土壌などさまざまな環境に適用可能−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年02月15日 エレクトロクロミック素子の色変化の様子写真の一部微細金属配線の印刷によりエレクトロクロミック素子の性能を向上
−調光ガラスや電子ペーパーの大面積化へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2010年03月26日 表示素子の着色状態の写真ゲル電解質を用いたナノ粒子調光ガラス
−電子ペーパーなど省エネ型表示装置にも応用の可能性−
ナノテクノロジー研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2008年10月14日 手のひらサイズの超小型装置(今回の開発品)写真手のひらサイズのスーパーインクジェット装置を開発
−超小型微細加工装置として多彩な用途への利用が可能−
ナノテクノロジー研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2007年08月08日 10cm角の調光ガラス試作品の着色状態写真北斎も使った顔料をナノ粒子化し、調光ガラスを作製
−多様な色と柄表示も可能に−
ナノテクノロジー研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2002年04月01日 従来の1/1000以下の微細液滴を吐出する「超微細インクジェット技術」を開発
− デスクトップで数ミクロン幅の超微細配線形成が可能に −
ナノテクノロジー研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2012年08月27日 強磁性ナノコンタクト素子の模式図強磁性ナノコンタクト素子によるミリ波発振
−ナノスケールの電流制御型発振素子を理論提案−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2012年05月08日 半導体ゲルマニウムへのスピン入力を観測するための素子の模式図室温で半導体ゲルマニウムに電子スピン情報を入力
−超省電力トランジスタ実現へ道を拓く−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2010年05月13日 開発した垂直磁化TMR素子の断面構造の電子顕微鏡写真と断面構造の模式図の一部スピンRAM(MRAM)の大容量化を可能にする垂直磁化TMR素子
−5 Gbitを超えるスピンRAMの設計が可能に−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2010年01月14日 トンネル磁気抵抗素子の模式図の一部スピンRAM(MRAM)の大容量化につながる新構造のTMR素子
−情報記憶の安定化と省電力化を両立−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2006年05月09日 作製したTMR素子の断面を示す電子顕微鏡写真超高密度ハードディスク用の高性能TMR素子を開発
−1平方インチ当たり500ギガビット以上の高密度記録に対応できる磁気ヘッド技術−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2005年11月17日 スピントルクダイオード効果の原理図スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルクダイオードを開発
−高感度マイクロ波検波器としての応用が期待される−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2005年08月23日 単結晶半導体型TMR素子の断面電子顕微鏡写真半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明
スピントランジスタの実現に道
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2005年03月31日 作製したTMR素子の断面を示す電子顕微鏡写真磁気ヘッドに最適な高性能TMR素子を開発
−1平方インチ当たり200ギガビット以上の高密度ハードディスクが実現可能に−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2004年11月01日 MRAMの構造巨大なTMR(トンネル磁気抵抗)効果の発生メカニズムを実証
−世界最高の出力電圧550mVを達成−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2004年09月07日 新型TMR素子を成長させた8インチシリコン基板世界最高性能TMR(トンネル磁気抵抗)素子の量産技術を開発
−ギガビットMRAMに必要な磁気抵抗比230%をスパッタ成膜法で実現−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2004年03月02日 単結晶TMR素子単結晶TMR(トンネル磁気抵抗)素子で世界最高性能を達成
−超高集積MRAMの実現に道筋−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス

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