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発表・掲載日
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分野
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関連
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| 2004年04月08日 |
グリッド技術を用いて、より一層のセキュリティを強化した顧客情報管理システムの共同研究を開始 |
グリッド研究センター |
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有 | ||||||
| 2005年11月10日 |
グリッド技術を用いてコンピューティングパワーを必要に応じて提供−GridASPユーティリティコンピューティングビジネスの実証実験を開始− |
グリッド研究センター |
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無 | ||||||
| 2006年04月25日 |
グリッド技術を用いて技術計算用コンピュータ資源を効率利用 −秋葉原クロスフィールドの産学連携機能を活用して共同研究開始− |
グリッド研究センター |
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無 | ||||||
| 2002年11月21日 |
グリッド技術を駆使して日米拠点間での超大規模データ処理に成功 −1万km離れた日米間で、これまでに例のない707Mbpsのデータ転送を実現− |
グリッド研究センター |
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有 | ||||||
| 2010年03月26日 |
ゲル電解質を用いたナノ粒子調光ガラス−電子ペーパーなど省エネ型表示装置にも応用の可能性− |
ナノテクノロジー研究部門 |
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有 | ||||||
| 2007年02月20日 |
サイバー攻撃から大規模ネットワークを防御するシステムの実現−侵入検知ルールの変更に素早く対応でき、百ギガbpsにも拡張可能− |
情報技術研究部門 |
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有 | ||||||
| 2008年09月18日 |
シアン化合物を使わない無電解金メッキ法を開発−様々なプラスチックへ密着性の高い金被膜を形成可能− |
ナノテクノロジー研究部門 |
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有 | ||||||
| 2010年12月06日 |
シリコンの限界を超えるCMOSトランジスタの基本技術が完成−III-V族半導体を用いた極薄チャネルの形成、メタルソース/ドレイン形成、高移動度化を実証− |
ナノ電子デバイス研究センター |
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無 | ||||||
| 2004年06月01日 |
シリコンの限界を超える半導体開発に大きな一歩−炭化ケイ素半導体の性能向上に成功し、実用化の道を拓く− |
パワーエレクトロニクス研究センター |
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無 | ||||||
| 2011年09月26日 |
シリコンチップの放熱特性評価技術の開発−ホットスポットからの熱の拡散を測定する方法− |
ナノエレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||
| 2003年05月14日 |
シリコンナノブロックの立体的秩序の構築に道を拓く−シリコンクラスタービームによるナノ構造秩序の形成に成功− |
電力エネルギー研究部門
クラスタープロセス連携研究体 |
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無 | ||||||
| 2007年03月05日 |
シリコン半導体デバイスの高集積化を可能にするイオン注入技術−10ナノメートル以下の浅い領域のドーピングも狙い撃ち− |
計測フロンティア研究部門 |
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有 | ||||||
| 2011年07月06日 |
ジスプロシウムを使わない高性能な等方性焼結磁石−新たな焼結技術で高性能磁石の資源問題解決に貢献− |
サステナブルマテリアル研究部門 |
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有 | ||||||
| 2013年03月18日 |
スパッタリングによるバッファ層で高効率CIGS太陽電池を実現−オールドライプロセスによるCIGS太陽電池の量産化に道− |
太陽光発電工学研究センター |
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無 | ||||||
| 2010年01月14日 |
スピンRAM(MRAM)の大容量化につながる新構造のTMR素子−情報記憶の安定化と省電力化を両立− |
エレクトロニクス研究部門 |
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有 | ||||||
| 2010年05月13日 |
スピンRAM(MRAM)の大容量化を可能にする垂直磁化TMR素子−5 Gbitを超えるスピンRAMの設計が可能に− |
ナノスピントロニクス研究センター |
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有 | ||||||
| 2002年07月12日 |
スピン偏極共鳴トンネル効果を発見 −新機能素子(スピン・トランジスタ)の実現に向けて道筋− |
エレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||
| 2007年11月26日 |
スピン注入トルクの直接測定に成功−次世代MRAMの開発を加速する新しい評価技術を確立− |
エレクトロニクス研究部門 |
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無 | ||||||
| 2005年11月17日 |
スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルクダイオードを開発−高感度マイクロ波検波器としての応用が期待される− |
エレクトロニクス研究部門 |
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有 | ||||||
| 2013年01月17日 |
スマートデバイスで操作できる超小型バイオセンシングシステム−臨床でのポイントオブケア検査や在宅健康管理への展開に期待− |
電子光技術研究部門 |
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無 |
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