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プレスリリース一覧
発表・掲載日
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分野
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関連
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2011年09月05日 FTA支援ソフトウエアの構想高信頼性設計のためのFault Tree Analysis支援ソフトウエアを開発
先進製造プロセス研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年09月02日 開発した電力計測器の写真電力可視化システムを低コストで構築
−国家標準に基づいた校正システムで電力計測器の計測値の精度を評価−
情報技術研究部門
計測標準研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
 計測・計量標準
2011年09月02日 ダイヤモンドバイポーラトランジスタの実物写真世界初の電力増幅作用を持つダイヤモンドトランジスタ
−省エネに大きく貢献する超低損失パワーデバイスの実現に道−
エネルギー技術研究部門  環境・エネルギー
2011年08月31日 開発した耐熱フィルムの写真土壌中のセシウムを低濃度の酸で抽出することに成功
−プルシアンブルーナノ粒子吸着材で回収し放射性廃棄物の大幅な減量化へ−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月30日 開発した耐熱フィルムの写真熱を加えても大きさの変わらない耐熱フィルムのロール品生産に成功
−350 ℃に加熱しても収縮率はわずか0.04%−
コンパクト化学システム研究センター
フレキシブルエレクトロニクス研究センター
 環境・エネルギー
 情報通信・エレクトロニクス
2011年08月24日 プルシアンブルーを利用したセシウム吸着材プルシアンブルーを利用して多様な形態のセシウム吸着材を開発
−汚染水や土壌などさまざまな環境に適用可能−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年08月02日 サステイナブルな林工一体型事業モデル図岡山県 真庭市と産業技術総合研究所が連携・研究協力に関する基本協定を締結
中国産学官連携センター
2011年07月26日 光照射前後で分散性の変化したSWNCT水溶液(光照射前:分散、光照射後:凝集)の写真単層カーボンナノチューブの分散状態を光で制御する新技術
−分散状態と凝集状態を容易に制御できる分散剤を開発−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年07月19日 高専機構広域連携拠点と産総研地域センター図国立高等専門学校機構と産業技術総合研究所が協定を締結
−全国的な連携・協力体制の構築を目指して−
イノベーション推進本部
2011年07月14日 有機半導体単結晶薄膜のクロスニコル顕微鏡像新しいインクジェット印刷法による有機半導体単結晶薄膜の製造技術
−世界最高性能の有機薄膜トランジスタを実現−
フレキシブルエレクトロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2011年07月11日 開発した屈折率測定装置の写真高温溶融材料の屈折率を簡便に測定する装置
−光情報産業、金属精錬産業での活用に期待−
電子光技術研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2011年07月06日 重希土類元素を含まない高性能焼結磁石(Sm-Fe-N系)ジスプロシウムを使わない高性能な等方性焼結磁石
−新たな焼結技術で高性能磁石の資源問題解決に貢献−
サステナブルマテリアル研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年07月06日 光を吸収して、電子と正孔の移動が光のないときより大きくなる様子の概念図有機太陽電池材料における光励起から電荷分離までをシミュレーション
−電荷移動錯体内の微視的な起電力効果を解析−
ナノシステム研究部門  ナノテクノロジー・材料・製造
2011年07月05日 Eu水素化物の結晶構造と水素濃度の圧力変化希土類金属水素化物の結晶構造の一般則を確立
−水素吸蔵材料の設計指針に重要な知見を提供−
計測フロンティア研究部門  計測・計量標準
2011年07月04日 本技術で作製したテクスチャ多結晶シリコン太陽電池の新しい作製方法
−固定砥粒方式でスライスした基板を用いた低コスト表面テクスチャー形成技術−
太陽光発電工学研究センター  環境・エネルギー
2011年06月30日 ゼーベック・スピントンネル効果を観測するための素子の構造ゼーベック・スピントンネル効果を発見
−温度差だけで電子スピン情報がシリコンに伝わる新現象−
ナノスピントロニクス研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2011年06月20日 ステンレス基板の集積型フレキシブルCIGS太陽電池サブモジュールの写真金属箔を基板に用いた高効率フレキシブルCIGS太陽電池
−集積型サブモジュールで光電変換効率15%を達成−
太陽光発電工学研究センター  環境・エネルギー
2011年06月12日 今回開発した技術で作製した金属ソース・ドレイン接合極薄MOSトランジスタとその特性図の一部トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御
−16 nm世代以降のMOSトランジスタの新たな接合技術として期待−
ナノエレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2011年06月12日 III-V-OI-on-Ge基板の写真世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現
−従来のシリコントランジスタの性能向上限界200%を突破−
ナノエレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2011年06月09日 Oct3/4, Sox2, Klf4, Glis1を導入して作製されたiPS細胞由来の奇形腫(マウス)写真の一部転写因子Glis1により安全なiPS細胞の高効率作製に成功
−Nature 6月9日号に掲載−
バイオメディシナル情報研究センター  ライフサイエンス

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