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プレスリリース一覧
発表・掲載日
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件名
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研究ユニット
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分野
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関連
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2003年05月07日 ハイブリッド型センサ新しいVOCセンサ材料を開発
−有機無機ハイブリッド材料を用いて高選択性を実現−
シナジーマテリアル研究センター  ナノテクノロジー・材料・製造
2003年05月14日 シリコンクラスタービームによるナノ構造秩序の形成に成功シリコンナノブロックの立体的秩序の構築に道を拓く
−シリコンクラスタービームによるナノ構造秩序の形成に成功−
電力エネルギー研究部門
クラスタープロセス連携研究体
 環境・エネルギー
 ナノテクノロジー・材料・製造
2003年05月27日 開発したシステイン合成酵素の結晶の顕微鏡写真世界最高の生産速度でシステイン(有用アミノ酸)を合成できる酵素の開発に成功
人間系特別研究体  ライフサイエンス
2003年06月04日 半導体新材料Te世界最高温度で強磁性を示す半導体新材料(Zn,Cr)Teの合成に成功
−磁性体と半導体の機能を併用するスピントロニクス素子の実現に道−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2003年06月09日 原子泉方式一次周波数標準器2000万年に1秒と狂わない高精度原子時計を開発
−世界最高水準の原子時計で標準時の進み方を監視−
計測標準研究部門  計測・計量標準
2003年06月11日 クロック調整により高速LSIの消費電力を半減することに成功
−遺伝的アルゴリズムを用いたクロック調整により、クロック周波数の向上と設計工数の低減も合わせて実現−
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年06月23日 システム全体イメージ聴覚障害者の授業理解遠隔支援システムを開発
−筑波技術短期大学と共同で運用実験をスタート−
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年06月23日 減圧気相成長装置「先端SoC共同研究センター」が完成
−90nm設計基準世代の標準プロセス技術の整備と開発に向けて−
先端SoC連携研究体  ナノテクノロジー・材料・製造
2003年07月10日 AFM観察に使用したCNT探針超高密度100GB光ディスク原盤の形状検査装置を開発
−原子間力顕微鏡と光ディスク検査装置を一体化−
近接場光応用工学研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年07月11日 独立行政法人産業技術総合研究所役員人事異動


2003年07月14日 光ファイバ、光導波路、光ファイバアレイ間の調芯光導波路・光ファイバアレイ間の入光・受光同時調芯に世界で初めて成功
−光通信用高機能デバイスの大量生産を可能にし、FTTHの普及を加速−
次世代半導体研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年07月31日 装置外観写真世界初、多色のレーザーパルス光をアト秒精度で制御することに成功
−光の電場波形の自由な形成を可能に−
光技術研究部門  情報通信・エレクトロニクス
2003年08月11日 産総研「技術と社会研究センター」を中核運営機関として、ルネッサンスプロジェクトがスタート
技術と社会研究センター
2003年08月27日 ナノバイオマシンの開発イメージナノテクとバイオの融合分野で活躍できる人材を養成
−人材不足の分野で即戦力となる人材を輩出し産業競争力強化へ貢献する−
ジーンファンクション研究ラボ
光技術研究部門
脳神経情報研究部門
物質プロセス研究部門
生物機能工学研究部門
人間系特別研究体
 ライフサイエンス
 情報通信・エレクトロニクス
 ナノテクノロジー・材料・製造
2003年08月28日 AFM像可視レーザー光による50nmサイズの高速微細加工に成功
−熱体積変化膜と可視レーザー光による熱分布を利用、超高密度光ROMディスク原盤作製技術に−
近接場光応用工学研究センター  情報通信・エレクトロニクス
2003年09月09日 スプリットゲート型フラッシュメモリ断面図産総研とセイコーインスツルメンツ(株)が三洋電機(株)とフラッシュメモリに関する特許の実施許諾契約を締結
知的財産部門  情報通信・エレクトロニクス
2003年09月09日 フェノール水素化反応超臨界CO2を利用したフェノール水素化技術の開発に初めて成功
超臨界流体研究センター  環境・エネルギー
2003年09月10日 リガーゼ連鎖反応世界最高の熱安定性を示す遺伝子診断用酵素(DNAリガーゼ)の開発に成功
人間系特別研究体  ライフサイエンス
2003年09月16日 オリゴDNA分子の細胞への取り込み促進と細胞内局在化制御に成功
−細胞内での所在を制御できる精密遺伝子導入法の確立を加速−
単一分子生体ナノ計測研究ラボ  ライフサイエンス
2003年09月16日 開発した高密度配線インターポーザ超高速伝送・超高密度実装を実現するLSIチップ接続インターポーザの開発に成功
−伝送速度10Gbps、最小線幅7.5μmの高密度微細配線インターポーザを低コストで生産可能−
エレクトロニクス研究部門  情報通信・エレクトロニクス

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