独立行政法人 産業技術総合研究所
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2012年07月02日 主な研究成果
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電子光技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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2012年01月12日 プレスリリース
主な研究成果
強誘電抵抗変化メモリー素子の概念図と電圧パルス印加による電気抵抗スイッチング特性図の一部新たな原理による強誘電抵抗変化メモリーを開発
−データ書き換え特性や保持特性の低下問題を解決−
電子光技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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