独立行政法人 産業技術総合研究所
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2012年04月02日 主な研究成果
出版物 		ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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2011年09月28日 プレスリリース
主な研究成果
開発した次世代半導体不揮発メモリーの写真の一部高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製
−次世代半導体不揮発メモリーの実用化へ前進−
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2008年08月01日 主な研究成果
出版物
強誘電体NANDフラッシュメモリー
書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下を実証
エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2008年05月19日 プレスリリース
主な研究成果
Fe-NANDフラッシュメモリーのためのFeFET光学顕微鏡写真強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証
−書き換え回数1億回 以上、書き込み電圧６V以下−
エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2004年12月15日 プレスリリース
主な研究成果
光学顕微鏡写真と断面図自己整合ゲート強誘電体トランジスタで長期データ記憶に成功
−1トランジスタ型FeRAM実用化に向けて大きく前進−
エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2003年01月07日 主な研究成果
出版物 		エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2002年10月24日 プレスリリース
主な研究成果
1Tr型FeRAM（強誘電体メモリ）を開発
−超Gbit次世代半導体メモリの実現に向けて−
エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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