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発表・掲載日
カテゴリ
件名
研究ユニット
分野
2011年12月08日
プレスリリース
主な研究成果
14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
ナノエレクトロニクス研究部門
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3 件中 1 〜 3 件を表示
1
発表・掲載日
カテゴリ
件名
研究ユニット
分野
2012年12月12日
プレスリリース
主な研究成果
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現
−集積回路の消費電力低減と性能向上につながる技術−
ナノエレクトロニクス研究部門
2012年07月02日
主な研究成果
出版物
トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
SRAMをはじめとする集積回路の歩留まり向上に貢献
ナノエレクトロニクス研究部門
2010年06月15日
プレスリリース
主な研究成果
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製
−特性ばらつきを大幅に低減できるトランジスタ作製技術を開発−
エレクトロニクス研究部門
3 件中 1 〜 3 件を表示
1
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14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
特性ばらつきが世界最小のフィンFETを実現
特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製