独立行政法人 産業技術総合研究所
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2012年09月26日 プレスリリース
主な研究成果 		情報技術研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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2012年09月25日 プレスリリース
主な研究成果
試作されたグラフェン素子のヘリウムイオン顕微鏡像ポリマー上でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製
−ポストシリコン材料のバックエンド集積化技術−
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2011年12月01日 主な研究成果
出版物
世界初の超微細III-V/Ge CMOSトランジスタ
高性能異種チャネルCMOSへの新たな道筋
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2011年09月27日 プレスリリース
主な研究成果
開発した高品質ゲルマニウム単結晶薄膜の写真の一部世界初の高品質ゲルマニウムプラットフォーム基板を実現
−ゲルマニウム単結晶層のさまざまな基板への転写技術−
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2011年06月12日 プレスリリース
主な研究成果
III-V-OI-on-Ge基板の写真世界初の次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタの実現
−従来のシリコントランジスタの性能向上限界200%を突破−
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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