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発表・掲載日
カテゴリ
件名
研究ユニット
分野
2010年12月08日
プレスリリース
主な研究成果
0.5 nmの非常に薄い高誘電率ゲート絶縁膜を開発
ナノ電子デバイス研究センター
ニュース一覧へ
3 件中 1 〜 3 件を表示
1
発表・掲載日
カテゴリ
件名
研究ユニット
分野
2012年01月01日
主な研究成果
出版物
トランジスタの接合位置を精密制御
16nm世代以降のMOSトランジスタの新たな接合技術として期待
ナノエレクトロニクス研究部門
2011年07月01日
主な研究成果
出版物
薄さ0.5ナノメートルのゲート絶縁膜
集積回路の低消費電力化に貢献
ナノエレクトロニクス研究部門
2011年06月12日
プレスリリース
主な研究成果
トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御
−16 nm世代以降のMOSトランジスタの新たな接合技術として期待−
ナノエレクトロニクス研究部門
3 件中 1 〜 3 件を表示
1
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0.5 nmの非常に薄い高誘電率ゲート絶縁膜を開発
トランジスタの接合位置をサブナノメートルの精度で制御