産総研：関連情報

発表・掲載日	カテゴリ	件名	研究ユニット	分野
2011年09月28日	プレスリリース主な研究成果	高性能な64kb強誘電体NANDフラッシュメモリーアレイを作製	ナノエレクトロニクス研究部門

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発表・掲載日

カテゴリ

件名

研究ユニット

分野

2012年04月02日

高性能なNANDフラッシュメモリーアレイ
次世代半導体不揮発メモリーの実用化へ前進

2008年08月01日

強誘電体NANDフラッシュメモリー
書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下を実証

2008年05月19日

強誘電体NANDフラッシュメモリーで書き換え回数従来比１万倍を実証
－書き換え回数1億回以上、書き込み電圧６V以下－

2004年12月15日

自己整合ゲート強誘電体トランジスタで長期データ記憶に成功
－1トランジスタ型FeRAM実用化に向けて大きく前進－

2003年01月07日

2002年10月24日

1Tr型FeRAM（強誘電体メモリ）を開発
－超Gbit次世代半導体メモリの実現に向けて－

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