発表・掲載日
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2010年01月14日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2006年05月09日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2005年11月17日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2005年08月23日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2005年07月01日
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主な研究成果
出版物
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エレクトロニクス研究部門
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2005年03月31日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2004年03月02日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2004年09月07日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2004年11月01日
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プレスリリース
主な研究成果
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エレクトロニクス研究部門
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2012年11月01日
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主な研究成果
出版物
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ナノスピントロニクス研究センター
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2012年08月27日
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プレスリリース
主な研究成果
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ナノスピントロニクス研究センター
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2012年05月08日
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プレスリリース
主な研究成果
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ナノスピントロニクス研究センター
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2010年11月01日
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主な研究成果
出版物
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ナノスピントロニクス研究センター
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2010年05月13日
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プレスリリース
主な研究成果
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ナノスピントロニクス研究センター
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スピンRAM（MRAM）の大容量化につながる新構造のTMR素子
超高密度ハードディスク用の高性能TMR素子を開発
スピン注入磁気共鳴を利用したスピントルクダイオードを開発
半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明
磁気ヘッドに最適な高性能TMR素子を開発
単結晶ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）素子で世界最高性能を達成
世界最高性能TMR(トンネル磁気抵抗)素子の量産技術を開発
巨大なＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）効果の発生メカニズムを実証
強磁性ナノコンタクト素子によるミリ波発振
室温で半導体ゲルマニウムに電子スピン情報を入力
スピンRAM（MRAM）の大容量化を可能にする垂直磁化TMR素子